电势电阻测量及半导体二极管温度计和电容.pptx

半导体二极管温度计和电容温度计 ;半导体二极管温度计 利用二极管在稳定的正向电流的条件下，正向电压随温度的降低而增加的原理而制成的。正向电压对电流较敏感，因此必须注意电压引线的极性。 ;1、半导体二极管温度计的性能 砷化镓二极管温度计在1?400K温度范围内显示出近似的线性关系，灵敏度足够高。砷化镓p-n结二极管温度计在低温时灵敏度稍差，但是复现性较好。 对于硅的灵敏度，在4.2K时为5.0mV/K，在77K时为2.75mV/K。硅p-n结二极管温度计灵敏度和复现性较好。 锗p-n结二极管温度计在20?100K温度范围内电压降随温度变化曲线是光滑的，而在20K以下灵敏度突然升高。可是经室温至低温多次冷热循环之后复现性不好。 半导体二极管温度计有如下的优点：(1)可在1～100K温度范围测量；(2)和半导体电阻温度计相比，受磁场影响较小；(3)作为温度计的半导体二极管比较容易得到；(4)价格便宜。 缺点是：(1)复现性差；(2)体积大；(3)不能作点的温度测量。 作为温度计用的二极管，需要有密封套装置，抽真空后充氦气。这样可得到较好的稳定性和较短的反响时间。 ;2、半导体二极管温度计的电压降和温度关系式 锗、硅和砷化镓p-n结二极管温度计已有商品生产，可在1?400K宽的温度范围使用，通过准确的分度重复性可达?0.01K，但是在整个温度范围还没有一个理想的插补公式。 一个简单描述p-n结二极管温度计电压降和温度的关系，适用于1.5?300K的温度范围。当温度计的工作电流不变时，电压降和温度关系的插补公式为： ;二、电容温度计 电容温度计的原理是利用电容器介质的介电常数?随温度有显著的变化，使得电容器的电容值随温度有显著的变化。 电容温度计用钛酸锶(SrTiO3)结晶玻璃，这种材料在液氦温度下显示出介电常数随温度有较大的变化。电容器由51层5?2?1mm的薄片构成，每一薄片都由玻璃介质和金-铂合金电极组成。介质薄片的厚度为0.025mm。在4.2K时电容器总电容值为20nF左右。 ;1、电容温度计的性能 电容温度计的最大特点是不受磁场的影响，即使在15T的强磁场下，影响也仅在?1mK之内。这种性质对于研究超导强磁场工作，是最迫切要求解决的。 在0.1?72K的温度范围，相应的电容为11?19nF，在这个温度范围内，电容随温度的增高而单调增大。在5.2K以下电容和温度关系是线性的。在线性范围内，其灵敏度很大，大约为250pF/K。在液氦温度下自热很小，大约是70pW，并随温度的降低而降低，热响应时间快，重复性为?13mK左右。当把电容温度计浸入液氦时发现电容值漂移。没有套管保护时，氦气渗透对温度计会有影响。若将组件密封在铂壳中，并采用银引线之后，可降低瞬时电容漂移对测量的影响，因而可以显著地改善重复性。 ;电容温度计的优点是： (1)对磁场的影响不灵敏，这是现在各种电阻温度计，热电偶温度计或其他温度计所不能相比的；很适合于超导磁体等强磁场环境中测量。 (2)有较高的灵敏度； (3)自热效应小，且随温度降低而减小（在20 K时发热为100微微瓦，2 K时为50微微瓦）； (4)热响应时间快； (5)有较好的机械性能。 缺点是： (1)稳定性不好； (2)存在瞬时电容漂移。 （将电容温度计封装与铂壳中，显著提高电容漂移特性）;2、电容温度计的电容和温度关系式 电容温度计在0.1?30K温度范围使用，有如下的电容和温度关系式：;热电势和电阻的测量 ——制冷与低温测试技术; 热电偶产生的热电势随着温度远离参考点温度而增大，高温热电偶产生的热电势较大，而低温热电偶的灵敏度随温度降低而变小，最大量程只有几个毫伏，工业上常用毫伏表做热电偶温度计的显示仪表，毫伏计准确度一般不高，（1.0级），但结构简单，价格低廉，维修方便，毫伏计实际上是一种动圈式仪表。 读数受环境温度和线路电阻影响较大，测量精度不高，不宜用于精确测量。; 电位差计相比于毫伏计，可以大大减小环境及线路电阻产生的误差，在实验室和工业生产中得到广泛应用。 电位差计的原理是用一个已知的标准电压与被测电势相比较，平衡时两者差值为零，被测电势等于标准电势。这种测量方法也称补偿法或零值法，产生标准直流电压的常用线路由分压线路和桥式线路两种。;直流分压线路和电位差计原理;电位差计的特点是，通过热电偶以及连接导线的电流等于零，因而热电偶以及连接导线的电阻即使有些变化，不会影响测量结果，可提高测量的准确度，这点与毫伏计测量方法不同。 但要注意，热电偶连接线路的电阻不能太大，否则会使热电偶支路中的不平衡电流变得很小，以