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TaRuN薄膜微观组织和性能受氮分压的影响探究 目录 TOC \o 1-9 \h \z \u 目录 1 正文 1 文1：TaRuN薄膜微观组织和性能受氮分压的影响探究 1 1、试验方法 2 2、结果与讨论 3 3、结论 7 (1)通过反应磁控溅射制备出非晶结构的Ta-Ru-N薄膜。 7 文2：氮肥对草地的影响 8 0 前言 8 1 氮肥对草地生产力的影响 9 2 氮肥對草地植被生物量分配的影响 10 参考文摘引言： 10 原创性声明（模板） 11 文章致谢（模板） 12 正文 TaRuN薄膜微观组织和性能受氮分压的影响探究 文1：TaRuN薄膜微观组织和性能受氮分压的影响探究 引言 随着集成电路特征尺寸逐渐减小，在只有几平方毫米的Si芯片上需要集成数百万个器件，对互连材料性能的要求越来越高。与Al相比，Cu具有更低的电阻率(μΩ·cm，比Al低37%)，能够承载更高的电流密度，已经取代Al成为新一代互连材料[1，2]。但是，作为互连导线材料，Cu在低介电常数介质和Si基底中具有非常高的扩散系数，需要在Cu与基体之间制备一层扩散阻挡层，来阻止由于Cu扩散到层间介质而导致的器件失效[3]。随着Cu互连导线线宽的不断缩小，传统的TaN扩散阻挡层体系已不能满足半导体器件的性能要求[4]。由于Ru具有良好的性能，Ru已被认为是最有潜力的新一代扩散阻挡层材料[5，6，7]。文献[8]探究了多种贵金属用作扩散阻挡层的可能性，证实了Ru可用作扩散阻挡层材料。文献[9]研究发现:Cu/Ru(20nm)i薄膜体系在450℃退火时，Cu原子会发生扩散导致扩散阻挡层失效，当薄膜厚度为5nm时，失效温度为300℃。文献[10]通入N2制备了Ru-N阻挡层，研究发现275℃退火时，在Cu/Ru界面处发现了N原子向Cu/Ru界面扩散并且逸出。上述研究表明:单层的Ru或者Ru-N薄膜的阻挡性能并不理想。文献[11]证实了Ta-Ru阻挡层比传统Ta基扩散阻挡层具有更好的润湿性和更高的抗电迁移寿命，能够填充线宽为45nm的互连导线槽。文献[12]在Ta-Ru扩散阻挡层中引入C原子，发现Ta-Ru-C扩散阻挡层的失效温度在650℃左右，具有较高的热稳定性。但是，目前国内对于Ta-Ru-N薄膜的结构和性能研究较少。 本文通过反应磁控溅射技术，在单晶Si(100)基底上制备了不同氮分压下Ta-Ru-N扩散阻挡层，对制备样品的相结构、微观组织形貌和性能进行了研究，以探索Ta-Ru-N的最佳制备条件，从而制备出新型扩散阻挡层材料。 1、试验方法 试验采用反应磁控溅射技术在单晶Si(100)基底上制备Ta-Ru-N薄膜。溅射在JCP-450M2型高真空多靶位磁控溅射镀膜机上进行，溅射用的靶材为Ta靶和Ru靶，质量分数均为%，尺寸均为Φ50mm×3mm，质量良好且颗粒大小均匀的靶材也是获得优质薄膜的前提条件[13]。溅射前，依次用无水乙醇和丙酮对P型Si(100)基底超声清洗20min，清洗干净并烘干后固定到基片台。溅射时的真空度为×10-4Pa，工作气压保持在，Ta靶和Ru靶采用共溅射的方式，Ta靶采用直流电源，Ru靶采用射频电源，溅射功率均为100W，溅射时间均为5min。工作气体为高纯Ar和N2的混合气体，气体总流量为35mL/min，共制备4种样品，氮分压(VN2∶VAr)分别为0∶7、1∶7、2∶7和3∶7，通入N2流量分别为0mL/min、5mL/min、10mL/min和15mL/min，分别标记为Ta-Ru、Ta-Ru-5N、Ta-Ru-10N和Ta-Ru-15N。 采用X射线衍射(X-raydiffraction，XRD，型号D8Advance)对薄膜的晶体结构进行表征;利用场发射扫描电子显微镜表征薄膜的表面和断面形貌;利用X射线能谱仪(energy-dispeiveX-rayspectroscopy，EDS，型号X-max20)分析薄膜的成分;采用原子力显微镜(atomicforcemicroscopy，AFM，型号NT-MDT)检测薄膜的三维形貌;使用透射电子显微镜(tramissionelectronmicroscopy，TEM，型号JEM-2100)检测薄膜的晶体结构;采用四探针电阻测试仪(four-pointprobe，FPP，型号RTS-8)测定薄膜的方块电阻。其中，透射样品为微栅上直接进行磁控溅射制备的薄膜。 2、结果与讨论 氮分压对Ta-Ru-N薄膜物相结构的影响 图1不同氮分压下Ta-Ru-N薄膜的XRD图谱 图1为不同氮分压下Ta-Ru-N薄膜的XRD图谱。从图1中可以看出:样品Ta-Ru-10N和Ta-Ru-15N在38°左右存在明显的漫射峰，样品Ta-R