半导体消融微波功率源课件.pptVIP

半导体微波消融功率源 半导体固态功率源是半导体射频能量应用的核心部件 采用最先进的高效率LDMOS以及GaN器件，结合智能控制与传感设计，完成了全新的半导体固体源产品系列，具备以下技术优势： 功率与辐射能量精确控制 频率与相位的精确控制与调节 智能的负载反馈与自适应调节 面向不同场景的的任意信号发生器 实时的状态监测与反馈 灵活丰富的控制接口与良好扩展 低电压、高效率、安全性 Comba 固态源原理框图 产品典型指标 产品型号 PA2450T-250A 工作频率 2400MHz~2500MHz 额定功率 250W/54dBm 额定效率 ≥55%@Pout=54dBm 实时状态监测 输出功率/反射功率/温度/驻波比 波形发生 正弦波 三角波 脉冲波 负载自适应 实现全频段负载扫描与实时自适应 监控接口 I2C/RS-485任意可选 尺寸 200*70*20 （mm） Comba完成了ISM常用频段433/915/2450 MHz 功率等级50W/250W/500W的功率源系列，可应用于家用微波加热、工业加热、微波医学等多领域 半导体微波功率源原理框图 微波消融射频传输框图 微波消融射频能量传输 几个关键射频功率指标的计算方法： A：消融针天线有效发射功率（即有效消融微波功率）Pout_E =固态源发射功率Pout-微波电缆正向损耗功率P_L1-微波消融针电缆正向损耗功率P_A1-负载失配反射功率Pref_A B：功放接受反射功率Pref_S=负载失配反射功率Pref_A-微波消融针电缆反向损耗功率P_A2-微波电缆反向损耗功率P_L2 C：微波消融针耗散功率=微波消融针电缆正向损耗功率P_A1+微波消融针电缆反向损耗功率P_A2 关键概念定义 A：消融针天线在标准负载状态下设计匹配频点为2.45GHz，实际使用中，与组织介电常数相关，会造成负载失配； B：组织消融的效果只与消融针天线的有效发射功率有直接关系； C：输出负载失配将会造成较严重的功率反射，导致有效发射功率降低； D：输出失配会对微波消融针内芯电缆温度造成持续性恶化影响； 假设需求微波消融有效功率固定 输出负载失配/失配程度恶化 反射功率增大，有效功率降低 提高输出功率 微波消融针耗散功率增加 微波消融针针杆温度提升 近针杆处组织碳化严重 输出负载失配后造成的恶化循环 微波消融射频能量传输 举例计算： 以固态源输出功率100瓦为例，实测2.4GHz~2.5GHz频率下，当天线插入目标负载（猪肝组织）功放输出回波扫频图形如右图： 根据图示：在2.45GHz状态下，功放输出负载S11测试值为6.5dB，匹配最佳点2428MHz，S11为-14dB； 估算微波电缆损耗为1.5dB（按照1.5m计算），微波消融针内芯同轴电缆损耗为0.6dB（按照25cm计算）；则2.45GHz，天线有效输出功率仅为：25瓦，有效功率利用仅为25%，针杆损耗功率达到13.8瓦 当频点自适应为2.428GHz（最佳匹配频点时），天线有效功率提升至55瓦，提升达到117%，同时降低针杆损耗功率至10瓦，不仅可以大幅度提升消融速度，还能够降低针杆温度，稳定消融效果。 而我们消融过程中实际所需消融功率就是25瓦，则在最佳匹配点下，需要固态源输出功率仅为46瓦，针杆损耗功率降低至4.6瓦，较失配状态下输出降低66.5%，可以非常有效的降低设备在功耗、辐射等方面的影响，同时大幅度降低针杆损耗功率，降低杆温，提高手术质量