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费米能级的位置 与掺杂浓度的关系 * pn结的基本结构 冶金结＿P区和n区的交界面 突变结　线性缓变结　超突变结 突变结＿均匀分布，交界处突变 * 任鑫 上海大学 纳米科学与技术研究中心 什么是半导体 按固体的导电能力区分，可以区分为导体、半导体和绝缘体 表1.1 导体、半导体和绝缘体的电阻率范围 材料 导体 半导体 绝缘体 电阻率ρ(Ωcm) ＜ 10-3 10-3～109 ＞109 * 半导体具有一些重要特性，主要包括： 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时 硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的电阻为几十MΩ，当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ 此外，半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变 * 固体类型 半导体的晶体结构 一、晶体的基本知识 长期以来将固体分为：晶体和非晶体。 晶体的基本特点： 具有一定的外形和固定的熔点，组成晶体的原子（或离子）在较大的范围内（至少是微米量级）是按一定的方式有规则的排列而成－－长程有序。（如Si，Ge，GaAs） * 非晶体（无定型） 多晶 单晶 空间晶格 晶体是由原子周期性重复排列构成的，整个晶体就像网格，称为晶格，组成晶体的原子(或离子)的重心位置称为格点，格点的总体称为点阵。 * 空间晶格　　　晶胞和原胞 原胞＿可以形成晶体的最小的晶胞 广义三维晶胞的表示方法： 晶胞和晶格的关系 * 固体中的缺陷和杂质 晶格振动　 点缺陷　（空位和填隙） 线缺陷 * 固体中的缺陷和杂质 替位式杂质 填隙式杂质 * 固体中的缺陷和杂质 掺杂 为了改变半导体的导电性而向其中加入杂质的技术． 高温扩散　１０００度 离子注入　50kev　损伤与退火 * 允带与禁带　 能级分裂为能带 外层先分裂 允带和禁带 r0 平衡时的距离 r0 处存在能量的允带 准连续分布 * 允带与禁带 简约布里渊区 (a) E(k)~k/2π关系 (b) 能带 (c) 第一布里渊区 图 晶体中电子的E(k)~ k/2π关系 /2π /2π * 固体中电的传导 能带和键模型 本征激发：共价键上的电子激发成为准自由电子，也就是价带电子激发成为导带电子的过程。 本征激发的特点：成对的产生导带电子和价带空穴。 * 固体中电的传导 能带和键模型 在图 (a)中，A点的状态和a点的状态完全相同，也就是由布里渊区一边运动出去的电子在另一边同时补充进来，因此电子的运动并不改变布里渊区内电子分布情况和能量状态，所以满带电子即使存在电场也不导电。 但对于图(b)的半满带，在外电场的作用下电子的运动改变了布里渊区内电子的分布情况和能量状态，电子吸收能量以后跃迁到未被电子占据的能级上去了，因此半满带中的电子在外电场的作用下可以参与导电。 满带与半满带 满带 =价带 半满带=导带 * 固体中电的传导 能带和键模型 (a) T=0K (b) T0K (c) 简化能带图 T=0K的半导体能带见图 (a)， 这时半导体的价带是满带，而导带是空带，所以半导体不导电。 当温度升高或在其它外界因素作用下，原先空着的导带变为半满带，而价带顶附近同时出现了一些空的量子态也成为半满带，这时导带和价带中的电子都可以参与导电，见图 (b)。 常温下半导体价带中已有不少电子被激发到导带中，因而具备一定的导电能力。图 (c)是最常用的简化能带图。 半导体的能带 * 统计力学 在一定温度下，半导体中的大量电子不停地作无规则热运动，从一个电子来看，它所具有的能量时大时小，经常变化。但是，从大量电子的整体来看，在热平衡状态下，电子按能量大小具有一定的统计分布规律性，即电子在不同能量的量子态上统计分布几率是一定的。 * 统计力学——费米分布函数 热平衡条件下半导体中电子按能量大小服从一定的统计分布规律。能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率为 据上式，能量比EF高5kT的量子态被电子占据的几率仅为0.7%；而能量比EF低5kT的量子态被电子占据的几率高达99.3%。 fF(