哈工大器件原理第六章JFET.pptxVIP

根据其结构(主要指栅极结构)和制作工艺，FET可分为三类： (1)结型栅场效应晶体管(缩写JFET)，由于原理上近似，有时也将肖特基栅场效应晶体管--金属-半导体场效应晶体管(缩写MESFET)划归此类； (2)绝缘栅场效应晶体管(缩写IGFET) (3)薄膜场效应晶体管(缩写TFT) 结型栅场效应晶体管，其栅极的控制作用是通过反向偏置pn结或肖特基结来实现的。其导电过程发生在半导体材料的体内，故JFET属于“体内场效应器件”。绝缘栅场效应晶体管和薄膜场效应晶体管的导电过程均发生在半导体表面薄???内。故从导电机构的角度看，它们均属于“表面场效应器件”。无论是“体内的”，还是“表面的”，它们都具有场效应半导体器件的共同特点： ; (1)FET具有普通双极晶体管所具有的特点，如体积小，重量轻 (2)FET是一种电压控制器件(通过输入电压的改变按制输出电流，而双极型晶体管为电流控制器件。 (3)FET的直流输入阻抗很高，一般可达109—1015Ω (4)FET类型多、偏置电压的极性灵活、动态范围大、其各级间可以采用直接耦合的形式，因而在电路设计中可提供较大的灵活性。 (5)噪声低，因而FET特别适合于要求高灵敏度、低噪声的场合，如检测各种微弱信号的仪器、仪表、医疗器械等。 (6)热稳定性好。因