大学微机原理与应用-MCS-51单片扩展-存储器的设计解析.pptVIP

2022/5/21 * 8.5 外部数据存储器的扩展方法及时序 P1 　　　P0 　　　 ALE 8031 P2 P3 RD WR 锁存器 数据 地址 RAM (2K×8) WE OE P0口为RAM的复用地址/数据总线, P2口的三根线用于对RAM进行页面寻址。 在对外部RAM读/写期间,CPU产生/RD/WR信号。 2022/5/21 * 常用的RAM芯片 在8031应用系统中,最常用的静态随机存取存储器RAM电路有6116(2K×8)和6264(8K×8)。 2022/5/21 * 常用的RAM芯片 静态随机存取存储器6116(2K×8)和6264(8K×8)。 2022/5/21 * 常用的RAM芯片 静态随机存取存储器6264(8K×8)。 2022/5/21 * 常用的RAM芯片 静态随机存取存储器6264(8K×8)。 2022/5/21 * 访问片外数据存储器/I/O口的时序 2022/5/21 * 静态RAM扩展 2022/5/21 * 2022/5/21 * 2022/5/21 * 8.6 EPROM和RAM的综合扩展 SRAM 6116/6264——数据存储器 2022/5/21 * /CE /OE -VPP D0~D7 方式 0 0 输出 读 1 × 高阻 维持 0 VPP 输入 编程 0 0 输出 编程校验 1 VPP 高阻 编程禁止 2732 工作方式真值表 注:VPP为编程脉冲,可以为 +5V,+12.5v,+21V,+25V等 EPROM 2732——程序存储器 2022/5/21 * 全译码 2764与6264 74LS373 8 8 5 D7 … D0 Q7 … Q0 RD ALE P0 P2 P2.5 8031 EA 0000H~1FFFH A0~A7 P2.4 P2.3P2.2P2.1P2.0 G WR C B A G2AG2BG Y7 … Y1 Y0 P2.6 P2.7 74LS138 0000H~1FFFH PSEN A0 ~ A12 D0~D7 OE CE1 6264 WE CE2 A0 ~ A12 D0~D7 OE CE1 2764 +5V +5V OE 2022/5/21 * 全译码——各芯片地址惟一 P2.7 A15 G2AG2B P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 P0 0 0 0 0 0 0~0 0 0 0 1 1 1 1 1~1 IC1 2732 IC2 6116 0000B Y0—CE 0000H~0FFFH 0 0 0 1 1 1 1~1 0~0 0 0 0 0 1 00010B Y1+P2.3 CE 1000H~17FFH A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7~A0 存储器 C B A 0 0 0 1 1 1 1~1 0~0 0 0 0 1 1 1800H~1FFFH Y1+P2.3 2022/5/21 * 程序、数据存储空间的混合 ※ 存储结构:哈佛结构,物理上两部分空间独立 通过 /RD 和/PSEN区别程序、数据存储读操作 * * 2022/5/21 * 第8章 MCS-51单片扩展存储器的设计 2022/5/21 * 学习要求—单片机的核心部分 熟悉系统三总线的概念; 重点掌握程序存储器的扩展; 重点掌握外部数据存储器的扩展; 2022/5/21 * 8．1 概 述 在组成单片机应用系统时: A 首先遇到的问题就是存储器的扩展。单片机内部设置的存储器一般容量较小,满足不了实际需要,因此需要配置外部存储器,包括程序存储器和数据存储器。 A 其次要解决的问题是I/O口的扩展。 当外围设备较多时,仅有的几个内部I/O接口就不够用,在大多数应用系统中,MCS-51单片机都需要扩展输入/输出接口芯片,有时还需要扩展定时器、串行口、数模转换器(D/A)和模数转换器(A/D)以满足实际需要。 2022/5/21 * 存储器正常扩展的最大范围 MCS-51存储器的配置图 程序存储器: 8031 64KB 8051/8751 60KB 数据存储器I/O口: 64KB 但应用中不一定最大范围扩展 2022/5/21 * 扩展 方法 1、根据单片机的型号和应用系统的要求 确定扩展存储器的类型、容量或I/O口的类型 包括