邵小桃 电磁兼容和PCB设计Chp8.pptxVIP

会计学;静电放电现象 ESD 保护技术;8.1 静电放电现象;1. 静电放电- ESD (Electrostatic Discharge);材 料;ESD 是一个上升时间可以小于1ns 甚至几百个ps的非常快的过程。它可以产生几十kv/m甚至更大电磁脉冲。频谱从DC到几GHz。ESD对电子器件和高速电子设备不但有破坏作用，也有非常强的EMI。;;;芯片的输入电阻Ri为6 kΩ，正常工作的数字信号幅度为3.3 V，宽度为2 ns， ;静电放电产生的电磁场 ;ESD 能量传播有两种方式： 放电电流通过导体传播 激励一定频谱宽度的脉冲能量在空间传播;如果一个元件的两个针脚或更多针脚之间的电压超过元件介质的击穿强度，就会对元件造成损坏。这是MOS器件出现故障最主要的原因。 静电放电脉冲的能量可以产生局部地方发热;被直接通过敏感电路的ESD电流损坏或摧毁。这种损坏由于ESD电流直接进入元件管脚，通常导致永久损坏。 被流过接地回路的ESD电流损坏或摧毁。通常大部分的电路设计者，都认为接地回路是低阻抗的，由于接地回路的抖动，实际上它不是低阻抗的，结果就是经常摧毁电路。而且地的抖动，也会造成 CMOS 电路的 LATCH-UP. 被电磁场耦合损坏。这种影响通常不会造成电路摧毁，因 为通常只是一小部分ESD 能量被耦合到敏感电路。 被预先放电的电场损坏。这种损坏模式不象其他几种模式那么普