第二章电力半导体器件2.pptVIP

IGBT的工作原理 （1） IGBT的转移特性曲线 IGBT开通： UGEUGE(TH)(开启电压,一般为3～6V) ；其输出电流Ic与驱动电压UGE基本呈线性关系； IGBT关断： UGEUGE(TH) （2）IGBT的伏安特性（如前图a) 反映在一定的栅极一发射极电压UGE下器件的输出端电压UCE与电流Ic的关系。 IGBT的伏安特性分为:截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。 第六十二页，共九十页。 IGBT的开通过程 与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行。 开通延迟时间td(on) ——从uGE上升至其幅值10%的时刻，到iC上升至10% ICM2??。???? 电流上升时间tr ——iC从10%ICM上升至90%ICM所需时间。 开通时间ton——开通延迟时间与电流上升时间之和。 uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程；tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。 第六十三页，共九十页。 晶闸管的型号 第三十页，共九十页。 晶闸管的主要派生器件 1. 快速晶闸管(Fast Switching Thyristor—FST 可允许开关频率在400HZ以上工作的晶闸管称为快速晶闸管(Fast Switching Thy