实验4-离子注入的剂量与掺杂浓度关系实验.docxVIP

半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 离子注入的剂量与掺杂浓度关系实验 一．实验目的与要求 使用 14nm 集成电路工艺教学套件的工业级半导体工艺实验模块进行试验，通过实验获取（B、As、 P、Antimony/Sb、BF）五种离子不同的注入剂量与掺杂浓度的关系曲线。 进一步了解离子注入工艺在整个半导体制备工艺中的重要性和作用。 熟练掌握离子注入工艺步骤，了解离子注入实验中注入剂量的变化对注入深度和掺杂浓度的影响。 二．实验器材 硬件：14nm 集成电路工艺教学套件 软件：ProcessLab 软件 三．实验内容 设置离子注入实验能量为 30keV，注入角度为 0 度。分别测试 5 种离子（B、As、P、Antimony/Sb、 BF）在注入剂量不同的情况下（1e11—1e16/cm2）注入深度与掺杂浓度的关系曲线。 测试的每种离子至少取 5 个实验剂量点，记录每个实验点的数据，并画出离子注入剂量与掺杂浓度的关系曲线图。 四．实验原理 离子注入的概念和基本原理以及射程、投影射程和分布，均参照“离子注入深度与能量关系实验” 影响离子注入的因素 影响离子注入实验结果的因素有三个，分别是注入能量、注入剂量以及注入角度。本次实验主要研究注入剂量的改变对注入深度和掺杂浓度的影响。 离子注入剂量 剂量：剂量（Q）是单位面积硅片表面注入的离子数，单位是原子每平方厘米（也可以是离子每平方厘米）。Q 可由下面的公式进行计算： = It/enA 其中：Q=剂量，单位是原子每平方厘米 I=束流，单位是库伦每秒（安培） t=注入时间，单位是秒 e=电子电荷，等于 1.6×10-19 库伦 n=离子电荷（比如 B+=等于 1） A=注入面积，单位是 cm2 离子注入成为硅片制造的重要技术，其主要原因之一是它能够反复向硅片中注入相同剂量的杂质，如上面提到的公式所示，离子束电流的量级是定义剂量的一个关键变量。如果电流增大，单位时间内注入的杂质原子数量也增大。 五．实验步骤 1. 实验准备 1.1 通过 USB 线缆将 14nm 集成电路工艺教学套件连接电脑。连接成功后打开工艺教学套件存储盘（显示为 PROCESS LAB 的 U 盘），双击命名为“Education_Kit.vbs”的批处理文件，启动软件主界面。 1.2 按亮 14nm 集成电路工艺教学套件的实验箱的绿色（Process）按钮，启动 Process Lab 软件。 1.3 按亮实验箱单步工艺选择区的“Implant（离子注入）”按钮，Processlab 软件界面会显示单步工艺离子注入的启动界面如图 1 所示。 图 1 单步工艺离子注入的启动界面 2. 离子注入剂量与掺杂浓度关系曲线实验 2.1 在工艺教学套件的实验箱液晶屏上选择“离子注入”，再选择离子注入设备，再设置注入杂质类型为硼，设置剂量为 1e11/cm2，设置能量为 30keV，设置角度为 0°，点击确定操作，开始离子注入实验。 2.2 从 ProcessLab 软件的工艺显示窗口，查看离子注入的投影射程和峰值掺杂浓度数据，具体步骤如下：（1）在工艺显示窗口右侧的 Param 中选择 Boron，显示如图 2 所示的硼离子掺杂浓度色阶分布图。 （2）在软件左侧的工艺信息窗口中的 ParamData Extraction 的第一个输入框中输入 1，点击输入框后的按钮，出现如图 3 所示的在 X=1 处，Y 轴的硼离子掺杂浓度变化曲线。 图 2 离子注入工艺实验结果 图 3 硼离子掺杂浓度变化曲线 2.3 记录实验结果填入下表，重复上述硼离子注入能量为 30keV、角度为 0°的实验，分别设置注入剂量为 1e12/cm2、1e13/cm2、1e14/cm2、1e15/cm2。记录实验结果，将结果填入下表。 离子 注入剂量（/cm2） 注入深度/投影射程（μm） 掺杂浓度（/cm3） 硼离子 硼离子 硼离子 硼离子 硼离子 2.4 根据上表中实验结果，画出注入深度关系曲线。 2.5 更换注入离子，重复上述实验步骤（2.1—2.4），完成 As、P、Antimony/Sb、BF 离子的实验。 六．思考题 1. 在注入能量和注入角度不变时，随着注入离子剂量的改变，注入深度和掺杂浓度是怎样变化的？原因是什么？答：