实验2-湿氧氧化工艺实验.docxVIP

半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 湿氧氧化工艺实验 一．实验目的与要求 使用 14nm 集成电路工艺教学套件的工业级半导体工艺实验模块进行实验，通过实验获取硅在不同温度下(700℃-1300℃)的湿氧氧化层厚度与氧化时间的关系曲线。 通过观察氧化层厚度与时间的关系曲线，分析氧化物生长速率的变化趋势及其影响因素。 通过实验结果比较干氧氧化与湿氧氧化的不同之处，说明湿氧氧化相比于干氧氧化的优缺点。 二．实验器材 硬件：14nm 集成电路工艺教学套件 软件：ProcessLab 软件 三．实验内容 通过控制变量法改变氧化实验的温度，分别在 700℃、800℃、900℃、1000℃、1100℃、1200℃、 1300℃下，获取硅氧化层厚度与氧化时间的实验数据，画出氧化层厚度与时间的关系曲线。 要求每个温度条件下至少 5 个数据点，氧化时间范围 10 分钟—1000 分钟。 四．实验原理 1. 关于湿氧氧化的化学反应 氧化是氧分子或水分子在高温下与 Si 发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。湿氧氧化的反应方程式为： Si（固）+2H2O（气）SiO2（固）+2H2（气） 图 1 Si 的湿氧氧化过程示意图 对于湿氧氧化，用携带水蒸气的氧气代替干氧作为氧化气体。水蒸气也常由蒸汽供给，称为热蒸汽。在氧化生长中，湿氧反应会产生一层二氧化硅膜和氢气，然而反应产生的氢分子会束缚在固态的二氧化硅层内，这使得氧化层的密度比干氧要小。该反应所需的时间和氧化膜的质量受硅片表面氧气的纯度和反应温度影响。硅片制造过程中，硅的氧化温度通常在 700℃~1300℃之间，而且在不同的氧化工艺步骤中是可变的。在任何一反应里，炉温都是精确控制的。 五．实验步骤 1. 实验准备 1.1 通过 USB 线缆将 14nm 集成电路工艺教学套件连接电脑。连接成功后打开工艺教学套件存储盘（显示为 PROCESS LAB 的 U 盘），双击命名为“Education_Kit.vbs”的批处理文件，启动软件主界面。 1.2 按亮 14nm 集成电路工艺教学套件的实验箱的绿色（Process）按钮，启动 Process Lab 软件。 1.3 按亮实验箱单步工艺选择区的“Oxidation（氧化）”按钮，Processlab 软件界面会显示单步工艺氧化的启动界面如图 2 所示。 图 2 单步工艺氧化的启动界面 2. 硅表面氧化厚度与氧化时间的关系曲线实验 2.1 在工艺教学套件的实验箱液晶屏上选择“湿法氧化”，再选择具体的氧化设备，再设置氧化时间 10 分钟，设置氧化温度为 700℃，点击确定操作，开始氧化实验。 2.2 从 ProcessLab 软件的工艺显示窗口，查看氧化层的厚度数据，记录实验结果填入下表，重复上述氧化温度为 700℃的实验，分别设置氧化时间为 200 分钟、500 分钟、800 分钟、1000 分钟。记录实验结果，将结果填入下表。 2.3 重复步骤 2.1 和 2.2，分别设置氧化温度为 800℃、900℃、1000℃、1100℃、1200℃、1300℃，记录实验结果并填入下表。 温度\时间 10 分钟 200 分钟 500 分钟 800 分钟 1000 分钟 700℃ 800℃ 900℃ 1000℃ 1100℃ 1200℃ 1300℃ 2.4 根据实验结果，画出不同温度下，氧化层厚度与氧化时间的关系曲线。 六．思考题 通过不同温度下氧化层厚度与氧化时间的关系曲线，分析氧化物生长速率的变化趋势及其影响因素？ 通过实验结果比较湿氧氧化相比于干氧氧化的优缺点（可以绘制图表说明）？