实验3-离子注入的深度与能量关系实验.docxVIP

半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 半导体工艺实验 离子注入的深度与能量关系实验 一．实验目的与要求 使用 14nm 集成电路工艺教学套件的工业级半导体工艺实验模块进行实验，通过实验获取 B、As、 P、Antimony/Sb、BF 五种离子在不同注入能量下注入投影射程与注入能量的关系曲线。 进一步了解离子注入工艺在整个半导体制备工艺中的重要性和作用。 熟练掌握离子注入工艺步骤，了解实验过程中注入能量的变化对注入深度的影响。 二．实验器材 硬件：14nm 集成电路工艺教学套件 软件：ProcessLab 软件 三．实验内容 设置离子注入实验剂量为 1e15/cm2，注入角度为 0°，分别测试 5 种离子（B、As、P、Antimony/Sb、 BF）在注入能量不同的情况下（10—1000keV）离子注入深度与掺杂浓度的关系曲线。 测试的每种离子的至少取 5 个实验能量点，记录每个实验点的数据，并画出离子注入投影射程与注入能量的关系曲线图。 四．实验原理 离子注入的概念 概念：离子注入是一种向硅衬底中引入可控数量的杂质，以改变其电学性能的方法。它是一个物理过程，即不发生化学反应。离子注入在现代硅片制造过程中有广泛应用，其中最主要的用途是掺杂半导体材料。 基本原理：将杂质原子经过离化变成带电的杂质离子，并使其在电场中加速，获得一定能量后，直接轰击到半导体基片内，使之在体内形成一定的杂质分布，起到掺杂的作用。 影响离子注入的因素 影响离子注入实验结果的因素有三个，分别是注入能量、注入剂量以及注入角度。本次实验主要研究注入能量的改变对注入深度和掺杂浓度的影响。 离子注入的能量 注入机的能量越高，意味着杂质原子能穿过硅片越深，射程越大。由于控制结深就是控制射程，所以能量是注入机的一个重要参数。离子注入的能量用电子电荷电势差的乘积来表示，单位：千电子伏特 keV，带有一个正电荷的离子在电势差为 100kV 的电场运动，它的能量为 100keV，高能注入机的能量大于 200keV，高能注入用于倒掺杂阱工艺。倒掺杂阱中，较深处的掺杂浓度大于表面 掺杂浓度。 离子注入的射程、投影射程以及分布 射程：离子射程指的是离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离 R，认识射程的特性，必须首先理解能量的概念。当离子由于电势差加速时，他们就获得了能量。离子是运动的，所以它们的能量是动能（KE），常用单位是焦耳。然而，离子注入中的能量一般用电子电荷与电势差的乘积，即电子伏特（eV）来表示。描述这种能量的公式为： KE=nV 其中，KE=能量，单位是电子伏特（eV） n=离子的电荷状态，（即“+”=1，“++”=2） V=电势差，单位是伏特 投影射程：投影射程 Rp是注入离子在硅片中穿行的距离，决定于离子质量和能量、靶的质量和离子束相对于硅片晶体结结构的方向（见图 1）但是并非所有的离子都恰好停止在投影射程上，有的穿行距离近些，有的距离远些。离子也会再横向移动。综合所有这些离子运动，就产生了注入硅片的杂质原子穿行的距离分布，即偏差△Rp。而△Rp表示被注入元素在 Rp附近的分布。投影射程图能够预测一定注入能量下的投影射程（见图 2 图 3） 图 图 1 杂质离子的射程和投影射程 图 2 离子注入后杂质浓度分布剖面图 图 3 注入能量对应投影射程图 分布： LSS 理论：离子注入非晶靶后的杂质浓度以高斯函数的形式分布 r = t 【r△Rp 】 △Rp:标准偏差 Rp:平均投影射程 Xp：投影射程 Cmax:峰值处的离子浓度 C(xp):表示距靶表面深度为 xp处的离子注入浓度 如果把杂质浓度公式对 xp积分，就得到单位面积的表面层中注入的总离子数，即注入剂量 Ns 经变换和简化后，可以得到注入剂量、标准偏差和峰值浓度之间的近似关系：深度为 Rp时的离子浓度为最大值。 maxrx= = 五．实验步骤 1. 实验准备 1.1 通过 USB 线缆将 14nm 集成电路工艺教学套件连接电脑。连接成功后打开工艺教学套件存储盘（显示为 PROCESS LAB 的 U 盘），双击命名为“Education_Kit.vbs”的批处理文件，启动软件主界面。 1.2 按亮 14nm 集成电路工艺教学套件的实验箱的绿色（Process）按钮，启动 Process Lab 软件。 1.3 按亮实验箱单步工艺选择区的“Implant（离子注入）”按钮，Processlab 软件界面会显示单步工艺离子注入的启动界面如图 4 所示。 图 4 单步工艺离子注入的启动界面 2. 离子注入深度与能量关系实验 2.1 在工艺教学套件的实验箱液晶屏上选择“离子注入”，再选择离子注入设备，再设置注入杂质类型为硼，设置剂量为 1e15/cm2，设置能量为 1