第七章-金属和半导体的接触.pptxVIP

第七章-金属和半导体的接触;1、金属与半导体形成得肖持基接触与欧姆接触,阻挡层与反阻挡层得形成; 2、肖特基接触得电流—电压特性——扩散理论与热电子发射理论,即肖特基势垒得定量特性;(详细阐述) 3、欧姆接触得特性。 ;2、MESFET( metal-semiconductor field-effect transistor) 具有与MOSFET相似得电流－电压 特性,但在器件得栅(gate)上电极部分利用金属 －半导体得整流接触取代了MOSFET得MOS结 构;用欧姆接触取代MOSFET得p-n结。;3、第一个实际的半导体器件就是点接触整流性 的金半接触，就是将细须状金属压在半导体表面 。从1904年起，该器件有许多不同的应用。;二、金属与半导体得功函数Wm 、Ws;2、半导体得功函数Ws;① N型半导体：;;三、金属与半导体得接触及接触电势差;大家学习辛苦了，还是要坚持;金属半导体接触前后能带图得变化:;在接触开始时,金属与半导体得间距大于原子得 间距,在两类材料得表面形成电势差Vms。;现在考虑忽略间隙中得电势差时得极限情形:;在势垒区,空间电荷主要由电离施主形成,电子浓度比体内小得多,就是一个高阻区域,称为阻挡层。界面处得势垒通常称为肖特基势垒。;金属与P型半导体接触时,若WmWs,即金属得费米能级比半导体得费米能级高,半导体得多子空穴流向金属,使得金属表面带正电,半导体