低温共烧陶瓷多层基板界面缺陷与抑制.docxVIP

带有空腔和金属通孔的低温共烧陶瓷多层基板是一种异质材料体系，基板内存 在多个界面。基板的空腔界面和金属通孔的层间界面是两种典型界面。针对基 板的空腔界面和金属通孔的层间界面在基板制造过程中分别出现的微裂纹和微 空洞问题进行了研究。通过有限元仿真分析和破坏性物理分析分别对空腔界面 微裂纹、金属通孔层间界面微空洞的形成原因进行了探讨，并有针对性地采取 工艺改进措施。结果说明，通过工艺改进，可以较好地抑制界面微裂纹和层间 微空洞缺陷。 1引言低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo?FiredCeramiCjLTCC）多层基板是将含有金 属布线导体和金属通孔的多层生瓷片经叠压、烧结而形成的一种互连结构。该 技术不仅可以在基板内埋置无源元件，还可以在基板上制作空腔结构以组装有 源器件等，从而提高模块组件、微系统封装密度和信号传输速度。该技术是高 密度、系统级电子封装较理想的平台之一。LTCC基板广泛应用于星载、机载以 及弹载雷达T/R组件等领域。 对于低温共烧陶瓷多层基板，基板的空腔界面和金属通孔的层间界面是两种典 型界面。良好的材料界面结合对基板电气互连性能具有决定性的影响，也是基 板制造工艺中的难点。低温共烧陶瓷多层基板界面研究涉及材料学、力学、热 学、化学以及基板加工工艺等领域。在应力分析和工艺改进方面，杨邦朝等开 展过低温共烧陶瓷多层基板热应力的有限元模拟与分析，该分析模型由陶瓷基 板、金属通孔和金属布线组成，模型中不含空腔结构；谭继勇等针对低温共烧 陶瓷多层基板在与硅铝基板焊接时出现裂纹的问题，进行了仿真分析与工艺优 化，没有涉及基板制造过程中出现裂纹的问题；邓超等对基板中台阶空腔倒圆 角处进行了 125c温度载荷下的热应力分析。在金属通孔制备方面，王志勤、 王会等针对影响通孔填充质量的因素和工艺优化进行了研究；何小琦等研究了 通孔与导带间开路失效的原因。目前针对LTCC基板界面缺陷方面的研究并不 多见。本文就基板制造过程中出现的空腔界面微裂纹以及金属通孔层间界面微 空洞形成原因进行探讨，并有针对性地提出了工艺改进措施。 2空腔界面微裂纹缺陷及抑制微裂纹缺陷 某型号LTCC基板采用Ferro公司A6M型生瓷带和金（Au）系列布线和通孔导 体材料制备。该基板外形尺寸为70.00mmx36.00mm,厚度大约1.90mm,生 瓷介质片层数共21层。基板内空腔长宽为14.00mmxl4.00mm,深度为 1.50mmo按照该基板制造工艺流程设计，生瓷片叠压后要经过以下两个烧结过 程：先在箱式炉内进行陶瓷与导体材料共烧（以下简称共烧过程），然后在链 式炉内进行基板外表金属化区烧结（以下简称后烧过程）。当后烧过程完成后, 在20倍显微镜下发现基板空腔底部界面处出现贯穿性微裂纹，裂纹深度大约 040mm。LTCC多层基板结构及空腔界面微裂纹位置剖面示意图见图1。 空腔 空腔 空腔通孔裂纹.陶兖 介质图I LTCC多层基板结构及空腔界面微裂纹位直剖面示意图 空腔 通孔 裂纹 .陶兖 介质 微裂纹形成原因讨论在共烧过程中，温度的变化主要分为3个阶段：从室温开始的升温阶段、峰值 温度下（约850℃）保温阶段以及降至室温的降温阶段。升温阶段和保温阶段 的主要作用是排胶和基板液相烧结。在保温阶段之后，随着温度降低，LTCC基 板进一步致密化并有收缩，共烧后成为陶瓷基板。在降温冷却过程中基板外表 和内部温度分布不均匀会产生剩余热应力。在随后的后烧过程中，陶瓷基板经 历升温、保温（约850C）以及降温三个阶段。从室温进料口到850C峰值温 度的加热过程中，基板外表温度高于其内部温度，高温侧的热膨胀大于低温侧 的热膨胀从而产生热应力，基板外表产生压应力，内部产生拉应力；从850℃ 峰值温度到出料口的过程中，采用风冷降温，基板外表温度低于其内部温度， 基板外表受到拉应力，内部产生压应力。 A6M型LTCC材料与常规A12O3陶瓷基板材料的热力学特性如表1所示。从表 中数据比照可以看出，A6M型LTCC陶瓷材料的热传导性、抗折强度都相对较 低，因此，当加热和冷却材料时，热应力更容易导致裂纹的产生。有研究说明, 陶瓷材料在热应力作用下微裂纹的形成、生长主要发生在冷却过程中，当高温 下的陶瓷材料突然处于低温环境时，裂纹就从拉伸应力存在区域的最薄弱部位 开始产生和开展。空腔界面是基板的薄弱部位。 表1几种陶究基板材料的热力学特性 材料名称99% AIA 96% A1A LTCC/A6M热导率 /[W ? (m ? K)T20?3015-202―2.5 抗折强度/MPa约450380-400约13。 工艺改进措施根据以上分析，共烧过程产生的剩余热应力和后烧过程产生的热应力对陶瓷基 板裂纹的形成具有叠加效应，因此需从两个方面进行工艺改进。一是降低共烧 过程产生