原来芯片的先进封装是这么玩的.docxVIP

摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入等多重压力，迫切需要别开蹊径 推动技术进步。而通过先进封装可以相对轻松地实现芯片的高密度集成、体积 的微型化和更低的本钱，这使得台积电、英特尔、三星，以及主要封测代工厂 商(OSAT)都对先进封装给予了高度重视，纷纷布局开展这方面的能力。 在此情况下，近年来先进封装技术不断演进，产业型态也展现出一些新的特征。 厂商重点布局先进封装随着摩尔定律面临诸多瓶颈、先进工艺逼近物理极限，业界普遍认为，先进封 装会成为下一阶段半导体技术的重要开展方向。台积电、英特尔、三星三大半 导体龙头企业均提早布局先进封装技术。 在近日召开的线上技术研讨会中，台积电副总裁余振华提供了台积电在先进封 装上的一些开展现状和未来规划。余振华强调，台积电将SoIC、C0W0S、 InFO-R、CoW、WoW等先进封装技术平台加以整合，统一命名为“TSMC 3DFabric\此平台将提供芯片连接解决方案，满足用户在整合数字芯片、高带 宽存储芯片及特殊工艺芯片方面的需求。 台积电认为，芯片在2D层面的微缩已不能满足异构集成的需求，3D才是未来 提升系统效能、缩小芯片面积、整合不同功能的开展趋势。 英特尔也在日前举办的架构日活动上介绍了新的先进封装技术一一“混合结合 (Hybrid bonding)”。 当前，多数封装技术采用热压结合(thermocompression bonding),而混合结 合”能够实现10微米及以下的凸点间距，较Fovreros封装的25?50微米凸点 间距有了明显提升，并且优化芯片的互连密度、带宽和功率表现，进一步提升 芯片系统的计算效能。使用“混合结合〃技术的测试芯片已在2020年第二季度流 O专业封测代工(OSAT)厂商对先进封装同样极为重视。 长电科技技术市场副总裁包旭升在接受采访时表示：“目前我们重点开展几种类 型的先进封装技术。首先是系统级封装(SiP),随着5G的部署加快，这类封装 技术的应用范围将越来越广泛。其次是应用于ChipletSiP的2.5D/3D封装，以 及晶圆级封装，并且利用晶圆级技术在射频特性上的优势推进扇出型(Fan-Out) 封装。此外，我们也在开发局部应用于汽车电子和大数据存储等开展较快的热 门封装类型。”事实上，国内三大封测公司均在加大先进封装上的投入力度。财报中，长电科 技表示2020年下半年将继续深化总部功能整合，加大先进封装工艺及产品的 研发投入，积极搭建设计服务新业务平台，不断强化长电科技核心竞争力并在 工厂端落实。 华天科技2020年上半年在先进封装方面的研发费用达2亿元，同比增长 15.41%,占营业收入比例为54%。 2020年上半年，通富微电在2D、2.5D封装技术研发上取得突破，Si Bridge封 装技术研发拓展，Low-power DDR DDP封装技术研发取得突破。 总之，在市场需求的增长下，越来越多先进封装技术被开发出来，先进封装的 市场占比将会进一步扩大。 统计数据显示，从2017年到2023年，整个半导体封装市场的营收将以5.2% 的复合年增长率增长，而先进封装市场将以7%的复合年增长率增长，市场规 模到2023年将增长至390亿美元。另一方面，传统封装市场的复合年增长率 那么低于3.3%o先进封装技术持续演进 传统上，封装的目的是将切割好的芯片进行固定、引线和塑封保护。但随着半 导体技术的开展，越来越多前道工艺需要完成的步骤被引入后道工艺当中，两 者的界限变得越来越模糊。随之而来的是，越来越多超越传统封装理念的先进 封装技术被提出。 据包旭升介绍，先进封装主要涉及芯片厚度减小、尺寸增大及其对封装集成敏 感度的提高，基板线宽距和厚度的减小，互联高度和中心距的减小，引脚中心 距的减小，封装体结构的复杂度和集成度提高，以及最终封装体的小型化开展、 功能的提升和系统化程度的提高。 先进封装的关键工艺涉及芯片互联(WB/打线、FC/倒装、RDL/重布线、TSV/硅 穿孔、DBI等)和基板(金属框架、陶瓷基板、有机基板、RDL stack/重布线堆叠、 异构基板、转接基板等)，芯片、器件的保护与散热(塑封、空腔、FcBGA和裸 芯片/WLCSP等)，以及不同引脚形式(Lead、Non-lead BGA等)的结合。 SiP是当前应用最为广泛的先进封装技术之一，是先进封装中带有系统功能的 多芯片与器件的一种封装形式的总称。SiP可以将一颗或多颗芯片及被动元件 整合在一个封装模块当中，从而实现具有完整功能的电路集成。这种封装方式 可以降低本钱，缩短上市时间，同时克服了芯片系统集成过程中面临的工艺兼 容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难题。 随着先进封装技术的开展，一种“小芯片(Chiplet)〃的开展理念又被提出，成为当 前封装领域最热门的话题之一。