一文看懂CMOS集成门电路.docxVIP

一文看懂CMOS集成门电路CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形 式组成，本文先介绍MOS管,然后再介绍由CMOS组成的门电路。 MOS英文全称Metal Oxide Semiconductor ,中文全称是金属一氧 化物-半导体场效应晶体管，属于一种电压控制型器件，正如其名，由 金属(M),氧化物(0)和半导体(S)构成，和三极管一样，既可以用来放 大电路，也可以当作开关使用，MOS管基本原理和制造流程，这里不 再详细介绍,有兴趣可以看看以前的文章：MOSFET的工作原理介绍 (±)MOS管可分为耗尽型和增强型，每种类型又分为P沟道和N沟道。 增强型MOS管，栅极与衬底之间不加电压时，栅极下面没有沟道存在, 耗尽型，栅极与衬底之间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。 MOS管的图形符号如下,一般用增强型M0S管用于门电路分析。 9D1 1I 卜一° 衬底G I |— IN 沟道 9D 1 1I 卜一° 衬底G I |— I N 沟道(NMOS) P 沟道(PMOS) (a)增强型MOS管 6s N 沟道(NMOS) 9D S_I —衬底 P 沟道(PMOS) (b)耗尽型MOS曾 /ESChipLord 增强型MOS管有P沟道和N沟道两种，其结构原理基本类似，主要 区别在于沉底和载流子不同，下面以N沟道增强型MOS管为例简单 介绍下，其结构如下所示： 、兀芯爵ChipLord 、兀芯爵ChipLord 增强型NMOS管的结构 增强型NMOS管是以P型掺杂硅片为衬底，然后制作两个N型掺杂 的区域，再制作一层电介质绝缘层，在两个N型掺杂的区域用金属导 线连出,分别称为源极(source)和漏极(drain),在两极中间的绝缘层 上制作金属导电层，然后用导向连出称为栅极(gate),衬底一般也用导 线连出和源极连接在一起。 增强型MOS管需要在栅极加合适的电压才能工作，下面说明其工作原 理： \因D铝SiO2NP型衬底N型半导体 材料S增强型 \因 D 铝 SiO2 N P型衬底 N型半导体 材料 S 增强型NMOS管工作原理 N沟道 七芯爵ChipLsd 电源E1通过R1加到场效应管D, S极，电源E2通过开关S力口至I」G, S极。 当开关S断开时，栅极无电压，由于衬底是P型，多数载流子是空穴； 源，漏极是N型掺杂，多数载流子是电子，熟悉PN节的读者可以很 快看出来，源极和漏极之间有两个背靠背的PN节，即使源，漏极加上 电压，总有一个PN节处于反偏状态，源漏极之间没有导电沟道，所以 电流为0 ；当开关S闭合，场效应管栅极获得正电压，上面会带有正电荷,它产 生的电场穿过电介质，将P衬底中的电子吸引过来并聚集，从而在两 个都是N型掺杂的源漏极之间出现导电沟道，由于此时漏源之间加上 的是正向电压，于是就会有电流从漏极流入，再经过导电沟道从S极 流出，一般把形成沟道时的栅源极电压称为开启电压，用Vt表示，也 即是图中E2电压。 如果改变E2电压大小，栅极下面的电场大小随之变化，吸引过来的电 子数量也会发生变化，两个N区之间沟道宽度就会随之变化，通过的 漏源极的电流大小就会发生变化。E2电压越高,沟道就会越宽，电流 就会越大。 增强型MOS管的特点如下： G, S极之间未加电压时，D, S极之间没有沟道，电流为0 ； G, S极之间加上开启电压后，D, S极之间有沟道形成，D, S极之间有电流 为分析方便,可以认为当NMOS管，G极为高电平时导通，为低电平时截止；对于PMOS那么相反，G极为低电平时导通，高电平时截止。 首先是CMOS非门电路，也叫反相器，结构图如下： ? + —DD SG-ldVT,中空 LdAY Jdg旧E 2加5 S、心芯爵力pLord CMOS非门电路VT1是PMOS管，VT2是NMOS管，电源输入端A分别与MOS管的G极连接，电路的 输出端分别与MOS管的D极相连，PMOS的S极接电源VDD, NMOS管的S极接地。 CMOS反相器的工作原理如下: o当A端为高电平时，VT1 PMOS管截止，VT2 NMOS管导通，Y端输出为低电 平,也即A=l, Y=0；o当A端为低电平时，VT2 NMOS管截止，VT1 PMOS管导通，Y端输出为高电 平,也即A=0, Y=lo 综上所述，CMOS非门的输出端与输出端之间电平总是相反，实际上，不管输入端 为高电平还是低电平，VT1和VT2始终有一个处于截止状态，电源与地之间基本无 电流通过，因此CMOS非门电路的功耗很低。 非门真值表 然后介绍与非门，其电路结构图如下：VT1, VT2为PMOS管，VT3, VT4为NMOS管。 CMOS与非门 CMOS与非门工作原理如下： o 当 A, B 端均为高电平时，VT1 PMOS, VT2 PMOS