半导体材料族化合物半导体的外延生长.pptVIP

7-3液相外延生长(LPE) 液相外延是从饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法 (Liquid phase epitaxy，LPE)。它是1963年由纳尔逊(H．Nelson)提出来的，与其他外延方法相比，它有如下的优点： ①生长设备比较简单； ②有较高的生长速率； ③掺杂剂选择范围广； ④晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低； ⑤晶体纯度高，系统中没有剧毒和强腐性的原料及产物，操作安全、简便。 由于上述的优点，使它在光电、微波器件的研究和生产中得到广泛的应用。 第六十一张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 LPE的缺点 1) 当外延层与衬底晶格常数差大于1％时，不能进行很好的生长。 2) 由于分凝系数的不同，除生长很薄外延层外，在生长方向上控制掺杂和多元化合物组分均匀性遇到困难。 3) LPE的外延层表面一般不如气相外延好。 近年来，由于MOVPE等外延技术的发展，LPE的应用受到了影响，特别是LPE很难重复生长超薄(厚度10nm)的外延层，使它在超晶格，量子阱等低维结构材料和器件制备方面遇到困难。 第六十二张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 液相外延的方法 液相外延的方法有许多种，按衬底与溶液接触方式不同分为：舟倾斜法、浸渍法、旋转反应管法及滑动舟法等，其中滑动舟法最用。 滑动舟法可分为降温法(瞬态生长)和温差法(稳态生长) 。降温法 1) 先将Ga池与GaAs固体源接触，使之达到饱和 2) 将Ga池与衬底接触，以一定的速度降温至溶液过饱和 3) GaAs将在衬底上析出，达到所要求厚度 4) 将Ga池与衬底分开， 停止生长。 此法适于生长薄的单晶层。 第六十三张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 降温法(瞬态生长)工艺 瞬态生长工艺应用比较广泛，按衬底片与源接触情况不同又分成平衡冷却、过冷、步冷和两相溶液冷却四种工艺。 平衡冷却 是在平衡温度T1时，溶液与衬底接触以恒定的冷却速率降温外延生长； 步冷 溶液降温至TT1，溶液过饱和但不自发成核，再与衬底接触，不再降温，在此过冷温度下进行生长 过冷 溶液降温至TT1，溶液过饱和但不自发成核，再与衬底接触，再以相同的速率降温生长； 两相溶液法 先将溶液过冷并自发成核，长在溶液上方平衡片上，然后将此溶液与衬底接触并继续降温生长。 第六十四张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 离子镀(Ion Plating) 电弧离子镀 磁过滤技术 消除从靶材上产生的大颗粒 第二十九张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 气相外延生长VPE 卤化物法 氢化物法 金属有机物气相外延生长MOVPE 第三十张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 卤化物法外延生长GaAs Ga/AsCl3/H2体系气相外延原理及操作 高纯H2经过AsCl3鼓泡器，把AsCl3蒸气携带入反应室中，它们在300~500℃的低温就发生还原反应， 4AsCl3 + 6H2 = As4 + 12 HCl 生成的As4和HCI被H2带入高温区(850℃)的Ga源(也称源区)处，As4便溶入Ga中形成GaAs的Ga溶液，直到Ga饱和以前，As4不流向后方。 4Ga + xAs4 = 4GaAsx ( x1 ) 而HCI在高温下同Ga或GaAs反应生成镓的氯化物，它的主反应为 2Ga + 2 HCl = 2 GaCl + H2 GaAs + HCl = GaCl + ? As4 + ? H2 第三十一张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 卤化物法外延生长GaAs GaCI被H2运载到低温区，如此时Ga舟已被As饱和，则As4也能进入低温区， GaCI在750℃下发生歧化反应，生成GaAs，生长在放在此低温区的衬底上(这个低温区亦称沉积区)， 6GaCl + As4 = 4 GaAs + 2 GaCl3 有H2存在时还可发生以下反应 4GaCl + As4 + 2H2 = 4 GaAs + HCl 反应生成的GaCl3被输运到反应管尾部，以无色针状物析出，未反应的As4以黄褐色产物析出。 第三十二张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 第三十三张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 氢化物法外延生长GaAs 氢化物法是采用Ga／HCI／AsH3／H2体系，其生长机理为 Ga (l) + HCl (g) = GaCl (g) + ? H2(g) AsH3 (g) = ? As4(g) + 3/2 H2(g)