半导体制程简介-wafer.ppt

* Design/Device (电路设计) Semiconductor Manufacturing Flows Engineering Module (工程开发) Manufacturing (MFG) (产品生产) WAT/CP Test (电性，良率测试) Product Qualification (产品封装测试) Customer ( 顾客) 设计修正 (半导体制造流程) Silicon Technology(硅片技术） 6 吋 (15.24cm) 8 吋 (20.32cm) 12 吋 (30.48cm) 1.78 倍 2.25 倍 (A) Production Capability (生产能力) (B) Design Capability (设计能力) 元件縮小 0.18 um (微米) 0.13 um (微米) Engineering Modules (工程开发): ? LITHO (光刻) ? 制程 设备 ? ETCH (刻蚀) ?制程 设备 ? Thin-Film (薄膜) ?制程 设备 ? CMP (化学机械研磨) ?制程 设备 ? Diffusion (扩散) ?制程 设备 ? WET (清洗) ?制程 设备 ? Implant (离子注入) ?制程 设备 ? Integration (制程整合) ? LITHO (光刻) Module ? Process Procedures (制程步驟): (a) PR_coating (上光刻胶) (b) Photo_mask exposure (上光刻版及曝光) (c) CD measurement (曝光后量测) (d) ADI check (曝光后目检) 光刻胶 Mask (光刻版) 特殊光线 曝光区 光刻胶 OK or not ? 光刻胶 ? ETCH (刻蚀) Module ? Process Procedures (制程步驟): (a) Dry Etching (气体刻蚀) (b) WET_PR_stripping (光刻胶去除，清洗) (c) CD measurement (刻蚀后测量) (d) AEI check (刻蚀后目检) Etching gas (刻蚀气体) 光刻胶去除 (WET) OK or not ?? 光刻胶 光刻胶 光刻胶 光刻胶 ? Thin-Film (薄膜) Module ? Process Procedures (制程步驟): (a) Thin film deposition (薄膜淀积, 单片) (b) Thickness measurement (淀积厚度量测) (c) Film types (薄膜种类): (i) 非导体: oxide (氧化物), nitride (氮化硅) (ii) 导体: metal (金属, W, Ti, TiN, Al) Film ? CMP (化学机械研磨) Module ? Process Procedures (制程步驟): (a) Chemical Mechanical Polishing (单片研磨) (b) 主要目的: 表面平坦化 (c) Thickness measurement (研磨后厚度测量) Film CMP平坦化 厚度 ?? ? Diffusion (扩散) Module ? Process Procedures (制程步驟): (a) Film deposition (炉管薄膜淀积, 100片) (b) Thickness measurement (淀积厚度量测) (c) Film types (薄膜种类): (i) 非导体: oxide (氧化物), nitride (氮化硅) (ii) 导体: Doped-poly WSi Film ? WET (清洗) Module ? Process Procedures (制程步驟): (a) Pre-clean for deposition (薄膜淀积前清洗) (b) Film removal by WET (薄膜去除) (c) PR strip (光刻胶去除) 酸槽浸泡 Surface clean by WET Film deposition Film removal ? Implant (离子注入) Module ? Process Procedures (制程步驟): (a) Photo exposure (光刻曝光) (b) Ion implantation (离子注入) (c) WET_PR_stripping (光刻胶去除, 清洗) Mask (光刻版) 特殊光线 曝光区 光刻胶 P+ P+ P+