高速微晶硅薄膜沉积功率利用效率的测量与优化.docxVIP

高速微晶硅薄膜沉积功率利用效率的测量与优化 为了实现低成本微晶硅薄膜的高速沉积，需要尽可能的优化工艺参数，特别是提高功率利用效率对于降低生产成本，以及提高工艺稳定性都具有重要的意义。文中对射频等离子体增强化学气相沉积系统的各部分功率消耗开展了测量与分析，发现实际用于辉光放电的功率利用率仅为10%以下； 腔室的寄生电阻自身消耗功率占30%左右，且寄生电抗分布情况对匹配器的功率消耗影响较大。通过对系统硬件的改造，降低了寄生电抗的影响，显著地提高了功率耦合效率，在高反应气压条件下的功率利用率到达60%以上。  为降低硅基薄膜太阳电池组件的成本，在生产中往往需要增大组件面积以提高产能，获得规模效益。这对等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 设备提出了更高的要求，应保证在整个组件面积上，薄膜的厚度以及性能满足一定的均匀性指标。与此同时，为了提高生产效率，需要稳定、高速的沉积薄膜,这就需要设备能够提供足够大的射频功率，这一般需通过特殊的电极构造设计以在满足均匀性要求的同时，亦能够使得设备具有高的能量利用效率，降低因发热导致的工艺不稳定性的潜在风险。在射频PECVD 系统中，常采用阻抗匹配网络提高能量利用效率为，尽管如此，射频电源输出的功率中，被等离子体辉光放电消耗的功率10% ~ 50% ，其它大部分功率被匹配网络以及系统的寄生电抗所消耗。相对于腔室构造的复杂性，匹配网络的设