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一、简答题
简述单片机系统扩展的基本原则和实现方法。
答:(1)以 P0 口作地址/数据总线,此地址总线是系统的低 8 位地址线。
以P2 口的口线作高位地址线。(不固定为8 位,需要几位就从P2 口引出几条口线。)
控制信号线:
①使用 ALE 作为地址锁存的选通信号,以实现低 8 位地址的锁存。
——————
②以P S E N信号作为扩展程序存储器的读选通信号。
———
③以E A信号作内外程序存储器的选择信号。
——— ———
④以R D和W R作为扩展数据存储器和 I/О 端口的读写选通信号,执行 MOVX 指令时,这
两个信号分别自动有效。
存储器分几类?各有何特点和用途?
答:存储器的分类方法较多。例如,从其组成材料和单元电路类型上可分为磁芯存储器、半导体存储器(从制造工艺上又可分为 MOS 型存储器、双极型存储器)电荷耦合存储器等; 从其与徽处理器的关系来划分,又可分为内存和外存。通常把直接同微处理器进行信息交换的存储器称为内存。其特点是存取速度快,但容量有限。而把通过内存间接与 CPU 进行信息交换的存储器称为外存,如磁带、磁盘、光盘等。其特点是容量大、速度较慢。外存的内容根据需要可随时调人内存。
通常人们习惯于按存储信息的功能分类,在单片机中所使用的半导体存储器在功能上的分类方法和各自特点、用途如下:
只读存储器 ROM(Read Only Memory)
只读存储器在使用时,只能读出而不能写入,断电后 ROM 中的信息不会丢失。因此一般用来存放一些固定程序,如监控程序、子程序、字库及数据表等。ROM 按存储信息的方法又可分为 4 种。
①掩膜 ROM
掩膜 ROM 也称固定 ROM。它是由厂家编好程序写入 ROM(称固化)供用户使用,用户不能更改它。其价格最便宜。
②可编程序的只读存储器 PROM(Programmable Read Memory)
它的内容可由用户根据自己所编程序一次性写人,一旦写入,只能读出,而不能再进行更改。这些存储器现在也称为 OTP(Only Time Programmable)。
③可改写的只读存储器 EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)
前两种ROM 只能进行一次性写入,因而用户较少使用。目前较为流行的 ROM 芯片为 EPROM。因为它的内容可以通过紫外线照射而彻底擦除,擦除后又可重新写入新的程序。
④可电改写只读存储器 EPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)
EPROM 可用电的方法写人和清除其内容,其编程电压和清除电压与微机 CPU 的 5 V 工作电压相同,不需另加电压。它既有与 RAM 一样读写操作简便,又有数据不会因掉电而丢失的优点,因而使用极为方便。现在这种存储器的使用最广泛。
随机存储器 RAM(Random Access Memory)
这种存储器又叫读写存储器。它不仅能读取存放在存储单元中的数据,还能随时写入新的数据,写入后原来的数据就丢失了。断电后 RAM 中的信息全部丢失。因此,RAM 常用于存放经常要改变的程序或中间计算结果等。
RAM 按照存储信息的方式,又可分为静态和动态两种。
①静态 SRAM(Static RAM)
其特点为只要有电源加于存储器,数据就能长期保留。
②动态 DRAM(Dynamic RAM)
写入的信息只能保持若干ms(毫秒)时间,因此,每隔一定时间必须重新写人一次,以保持原来的信息不变。
可现场改写的非易失存储器
这种存储器的特点是:从原理上看,它们属于 ROM 型存储器;从功能上看,它们又可以随时改写信息,作用又相当于 RAM。所以,ROM、RAM 的定义和划分已逐渐失去意义。
下面对这类存储器中的两种予以简介:
①快擦写存储器 FLASH
这种存储器是在 EPROM 和 EPROM 的制造基础上产生的一种非易失存储器。其集成度高, 制造成本低于DRAM,既具有 SRAM 读写的灵活性和较快的访问速度,又具有 ROM 在断电后可不丢失信息的特点,所以发展迅速。
②铁电存储器 FRAM
它是利用铁电材料极化方向来存储数据的。它的特点是集成度高,读写速度快,成本体, 读写周期短。
假定一个存储器有 4096 个存储单元,其首地址为 0,则末地址为多少? 答:其首地址为 0,则末地址为 FFFH。
除地线公用外,6 根地址线和 11 根地址线各可选多少个地址?
答:除地线公有外,6 根地址线可选 26=64 个地址,11 根地址线可选 211=2048 个地址。
12. 什么是单片机的最小系统、最小应用系统和应用系统?它与单片机、单片机系统、单片机应用系统屡次有何关系?
答:单片机应用系统是以单片机
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