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Lecture 7:
IGBT Ι
Oh, Kwang-Hoon, Ph. D.
okhoon@
Contents 目录
• Introduction 简介
• IGBT vs MOSFET
• IGBT Structure IGBT结构
• IGBT Characteristics IGBT特性
- Forward Blocking 正向阻断
- Forward Conduction 正向导通
- IGBT Operation
- Latch-Up
- Latch-Up suppression
- Switching Characteristics
• Lifetime Control
• High Temperature Characteristics
• Short Circuit Ruggedness
• SOA
• NPT IGBTs?
• IGBT Design/ Process
2
What is IGBT?
• IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor (BJT + MOSFET)
Equivalent circuit symbol
• Voltage controlled
• Bipolar device: higher current driving capability than MOSFET (Unipolar)
3
IGBT vs. MOSFET
- From the structure process point of view, basically the same
- The starting material is different!
4
IGBT vs. MOSFET
MOSFET
IGBT
Low 12kHz Medium 40kHz High150kHz Ultra High 150kHz Freq
Difference IGBT vs. MOSFET:
• smaller chip size - lower price
• softer switching, lower EMI
• temperature
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