IGBT图解硬件资料100本.pdfVIP

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Lecture 7: IGBT Ι Oh, Kwang-Hoon, Ph. D. okhoon@ Contents 目录 • Introduction 简介 • IGBT vs MOSFET • IGBT Structure IGBT结构 • IGBT Characteristics IGBT特性 - Forward Blocking 正向阻断 - Forward Conduction 正向导通 - IGBT Operation - Latch-Up - Latch-Up suppression - Switching Characteristics • Lifetime Control • High Temperature Characteristics • Short Circuit Ruggedness • SOA • NPT IGBTs? • IGBT Design/ Process 2 What is IGBT? • IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor (BJT + MOSFET) Equivalent circuit symbol • Voltage controlled • Bipolar device: higher current driving capability than MOSFET (Unipolar) 3 IGBT vs. MOSFET - From the structure process point of view, basically the same - The starting material is different! 4 IGBT vs. MOSFET MOSFET IGBT Low 12kHz Medium 40kHz High150kHz Ultra High 150kHz Freq Difference IGBT vs. MOSFET: • smaller chip size - lower price • softer switching, lower EMI • temperature

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