IGBT工作原理及应用.pdfVIP

IGBT工作原理及应用 绝缘栅双极型晶体管 （IGBT）的保护 引言 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成 的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以 把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既 具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量 大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 在中大功率的开关电源装置中,IGBT 由于其控制驱动电路简单、工作 频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关 电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容 易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影 响使得它所承受的应力更大,故IGBT 的可靠性直接关系到电源的可 靠性。因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外,对IGBT 的保护设 计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。 1IGBT 的工作原理 IGBT 的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT 的栅极和发射 极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极 与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT 的栅极和发射极 之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给, 使得晶体管截止 由此可知,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定： ——IGBT栅极与发射极之间的电压; ——IGBT集电极与发射极之间的电压; ——流过IGBT集电极－发射极的电流; ——IGBT 的结温。 IGBT , , IGBT 如果 栅极与发射极之间的电压 即驱动电压过低 则 不能 稳定正常地工作 如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则, IGBT可 ; , IGBT 能永久性损坏 同样 如果加在 集电极与发射极允许的电压超过 集电极－发射极之间的耐压 流过, IGBT集电极－发射极的电流超过 集电极－发射极允许的最大电流,IGBT 的结温超过其结温的允许 值,IGBT都可能会永久性损坏。 2 保护措施 在进行电路设计时应针对影响, IGBT可靠性的因素 有的放矢地采取, 相应的保护措施。 2 1IGBT ． 栅极的保护 IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V,如果在它的栅 , IGBT, , 极与发射极之间加上超出保证值的电压 则可能会损坏 因此 在 IGBT , IGBT 的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外 若 的栅极与 发射极间开路 而在其集电极与发射极之间加上电压 则随着集电极, , 电位的变化 由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在 使得, , 栅极电位升高集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极, 间处于高压状态时可能会使, IGBT发热甚至损坏。如果设备在运输 或振动过程中使得栅极回路断开 在不被察觉的情况下给主电路加上, , IGBT , IGBT 电压 则 就可能会损坏。为防止此类情况发生 应在 的栅 kΩ