IGBT详解硬件资料100本.pdfVIP

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封装材料:塑料封装 极数:多极 封装外形:平板形 品牌:三菱(MITSUBISHI) 型号:CM450HA-5F 控制方式:IGBT 关断速度:高频 (快速) 散热功能:不带散热 频率特性:高频 功率特性:大功率 额定正向平均电流:450A 控制极触发电流:1mA 最大稳定工作电流:450A 反向重复峰值电压:250V 控制极触发电压:1V 正向重复峰值电压:250V 反向阻断峰值电压:250V E=Emitter 发射极 C=Collector 集电极 G=Gate 门极 解析IGBT 的工作原理及作用 本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT 的工作原理和作用,并精简的指出了IGBT 的特点。可以说,IGBT 是一个非通即断的开关,兼有MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导 通压降两方面的优点。 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的 复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导通压降 两方面的优点。GTR 饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小,开 关速度快,但导通压降大,载流密度小。 IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电 压为600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 目前国内缺乏高质量IGBT 模块,几乎全部靠进口。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是高压开关 家族中最为年轻的一位。由一个15V 高阻抗电压源即可便利的控制电流流通器件从而可达 到用较低的控制功率来控制高电流。 IGBT 的工作原理和作用通俗易懂版: IGBT 就是一个开关,非通即断,如何控制他的通还是断,就是靠的是栅源极的电压, 当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V 到15V)时IGBT 导通,栅源极不加电压或者是加负压时, IGBT 关断,加负压就是为了可靠关断。 IGBT 没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。 IGBT 有三个端子,分别是G,D,S,在G 和S 两端加上电压后,内部的电子发生转移(半导 体材料的特点,这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因),本来是正离子和负离 子一一对应,半导体材料呈中性,但是加上电压后,电子在电压的作用下,累积到一边,形 成了一层导电沟道,因为电子是可以导电的,变成了导体。如果撤掉加在GS 两端的电压, 这层导电的沟道就消失了,就不可以导电了,变成了绝缘体。 IGBT 的工作原理和作用电路分析版: IGBT 的等效电路如图1 所示。由图1 可知,若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正 电压,则MOSFET 导通,这样PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导 通;若IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET 截止,切断PNP 晶体管基极电流的供 给,使得晶体管截止。 图1 IGBT 的等效电路 由此可知,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定: --IGBT 栅极与发射极之间的电压; --IGBT 集电极与发射极之间的电压; --流过IGBT 集电极-发射极的电流; --IGBT 的结温。 如果IGBT 栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT 不能稳定正常地工作, 如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT 可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT 集电极 与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT 集电极-发射极的电流超过集 电极-发射极允许的最大电流,IGBT 的结温超过其结温的允许值,IGBT 都可能会永久性损坏。 绝缘栅极双极型晶体管(IGBT) IGBT 管不管在什么样的使用环境下,其基本作用都是做为高速无触点电子开关。比如你举 的例子,就是利用IGBT 的开关原理,利用控制电路给予适当的开通、关断信号,IGBT 就能 根据你的控制信号将直流电变换成交流电,直流电转换成交流电后电压会降低,实际上火车 供电系统的600V 直流就是将380V 交流整流而成,IGBT 逆变器驱动板的作用就是将这个过 程的再还原。同时可以通过控制信号的脉宽调节来控制电流的大小,也可以控制交流频率, 从而控制电机的转速。 引起烧IGBT 的原因 2011-11-09 1862 人 1 页 5.0 分 用

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