IGBT的结构原理及特性.pdfVIP

现代电力电子技术 ——3.5 绝缘栅双极晶体管 （IGBT ） IGBT的基本结构和工作 3.5.1 原理 3.5.2 IGBT的工作特性 3.5.3 IGBT的主要参数 CONTENT 1 IGBT简介 IGBT，绝缘栅双极晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor ），它是由BJT （双极结型晶体管）和MOSFET （绝 缘栅型场效应管）组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。 BJT （Bipolar Junction Transistor）双极结型晶体管主要特 征是：耐压高、电流大、开关特性好。 缺点：驱动功率大、驱动电路复杂、开关速度慢。 MOSFET绝缘栅型场效应管主要特征是：驱动电路简单，所 需要的驱动功率小；开关速度快、工作频率高。 缺点：电流容量小、耐压低 英飞凌IGBT 三菱IGBT IGBT被广泛用于电动汽车、新能源装备、智能电网、 轨道交通、和航空航天等领域，IGBT是能源变换和传输 的最核心器件，俗称电力电子装置的CPU，是目前最先 进、应用最广泛的第三代半导体器件，作为国家战略新兴 产业，IGBT在涉及国家经济安全、国防安全等领域占据 重要地位。 2 IGBT 的国内外研究现状 纵观全球市场，IGBT主要供应厂商基本是欧 美及几家日本公司，它们代表着目前IGBT技术 的最高水平，包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国 IR、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司。在 高电压等级 领域 （3300V 以上）更是完全由其 中几家公司所控制，在大功率沟槽技术方面，英 飞凌与三菱公司处于国际领先水平。这些公司不 仅牢牢控制着市场，还在技术上拥有大量的专利。 近几年，国内IGBT技术发展也比较快，国外厂商垄断逐渐被打破，已 取得一定的突破，国内IGBT行业近几年的发展大事记： （1）2011年12月，北车西安永电成为国内第一个、世界第四个能够 封装6500V 以上IGBT产品的企业。 （2 ）2013年9月，中车西安永电成功封装国内首件自主设计生产的 50A/3300V IGBT芯片； （3 ）2014年6月，中车株洲时代推出全球第二条、国内首条8英寸 IGBT芯片专业生产线投入使用； （4 ）2015年10月，中车永电/上海先进联合开发的国内首个具有完全 知识产权的6500V高铁机车用IGBT芯片通过高铁系统上车试验； （5 ）2016年5月，华润上华/华虹宏力基于6英寸和8英寸的平面型和 沟槽型1700V 、 2500V和3300V IGBT芯片已进入量产。 IGBT的基本结构和工作原理 3.5.1 1 　 ＩＧＢＴ的基本结构 三端器件：栅极G、集电极C、发射极E。 IGBT 的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 ２　 ＩＧＢＴ的工作原理 ＩＧＢＴ的驱动原理与电力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一种场控器件， 其开通和关断由栅射极电压uGE 决定； 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET 内形成沟道，为晶体管提供基极 电流，IGBT导通； 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET 内的沟道消失，晶体管的 基极电流被切断，IGBT关断。 3.5.2 IGBT的工作特性 1 静态特性 图 IGBT 的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 ２　动态特性