第四章场效应管及其放大电路 (2).pptVIP

4.4 场效应管放大电路 第29页，共45页，编辑于2022年，星期二 共源组态基本放大电路 对于采用场效应三极管的共源基本放大电路，可以与共射组态接法的基本放大电路相对应，只不过场效应三极管是电压控制电流源，即VCCS。共源组态的基本放大电路如图所示。 (a)采用结型场效应管 (b)采用绝缘栅场效应管 共源组态接法基本放大电路 比较共源和共射放大电路，它们只是在偏置电路和受控源的类型上有所不同。只要将微变等效电路画出，就是一个解电路的问题了。 第30页，共45页，编辑于2022年，星期二 (1)直流分析 将共源基本放大电路的直流通道画出,如图所示。 共源基本放大 电路的直流通道 图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻，Rs是源极电阻，Rd是漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2，Re和Rc分别一一对应。而且只要结型场效应管栅源间PN结是反偏工作，无栅流，那么JFET和MOSFET的直流通道和交流通道是一样的。 可写出下列方程 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VG－VS= VG－IDQR IDQ= IDSS[1－(VGSQ /VP)]2 VDSQ= VDD－IDQ(Rd+R) 于是可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。 第31页，共45页，编辑于2022年，星期二 微变等效电路 (2)交流分析 画出微变等效电路，如图所示。 与双极型三极管相比，输入电阻无穷大，相当开路。VCCS的电流源 还并联了一个输出电阻rds，在双极型三极管的简化模型中，因输出电阻很大视为开路，在此可暂时保留。其它部分与双极型三极管放大电路情况一样。 第32页，共45页，编辑于2022年，星期二 跳转到第一页 第1页，共45页，编辑于2022年，星期二 4.1 结型场效应三极管(JFET) (1)结型场效应三极管的结构 JFET的结构如图所示，它是在N型半导体硅片 的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N 型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是 漏极，另一端是源极。 (动画2-8） 第2页，共45页，编辑于2022年，星期二 (2) 结型场效应三极管的工作原理 第3页，共45页，编辑于2022年，星期二 ① 栅源电压对沟道的控制作用 当VGS=0时，若漏、源之间加有一定电压，在漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。 当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏、源间的 沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变 窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应 的栅源电压VGS称为夹断电压VP。这一过程动画 所示。 （动画2-9） 第4页，共45页，编辑于2022年，星期二 ② 漏源电压对沟道的控制作用 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS= VP时，在紧靠漏 极处出现预夹断。当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向延长。 在栅极加上电压，且VGS＞VP，若漏源电压VDS 从零开始增加，则VGD=VGS-VDS将随之减小。使靠近漏 极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布。 第5页，共45页，编辑于2022年，星期二 (3)结型场效应三极管的特性曲线 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。 第6页，共45页，编辑于2022年，星期二 (a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 动画（2-6） 动画（2-7） 第7页，共45页，编辑于2022年，星期二 N沟道增强型MOSFET 的结构示意图和符号如图 。其中： D(Drain)为漏极,相当于c； G(Gate)为栅极，相当于b；