CMOS平板探测器与非晶硅平板探测器.pdf

CMOS平平板板探探测测器器与与⾮⾮晶晶硅硅平平板板探探测测器器 前前⾔⾔ 在C形臂X射线机中，早期的探测器都是影像增强器。在2000年，⾮晶硅平板探测器最早在 C上开始应有，很快就完全取代了增强器。但直到2006年才 出现在移动C形臂上，直到2012年，全球⼀共才卖出去2百台平板移动C形臂，在全球移动C形臂的装机中只占0.4%。主要还是因为⾮晶硅平板的低剂量 DQE差，在脊柱成像上和影像增强器相⽐差很多。 在2010年前后，CMOS平板探测器开始在Mini C形臂上得到应⽤。CMOS探测器的低剂量DQE⽐影像增强器⾼，在图像质量上⾼于⾮晶硅平板和影像增强 器。但是由于价格昂贵，由⼀⽚8英⼨晶圆制作的⼩尺⼨ （13cmx13cm、15cmx12cm）的CMOS探测器最早是⽤在⼯业探伤、⽛科成像以及mini C形臂领 域。随着技术的进步， 约在2016年，20cm和30cm 尺⼨CMOS探测器才由GE OEC开始⽤到移动C形臂上。 现在⼀块20cm的⾮晶硅平板探测器价格已经⾮常接近⼀个影像增强器配上⼀个主流的百万像素CCD相机价格。⾮晶硅平板探测器尽管低剂量DQE差，在 脊柱成像上不如增强器。⼀台⾮晶硅平板C臂的成本和⼀台影像增强器C臂成本差不多，但是售价⾮常⾼。在2019年，两 影像增强器供商之⼀的法国泰 雷兹公司宣布停产影像增强器，吹响了⽤平板探测器全⾯取代影像增强器的号⾓；同时，在利益驱动下，许多公司⼀起推动，⾮晶硅平板C形臂在国内开 始普及。 CMOS平板探测器价钱昂贵，相同尺⼨的CMOS平板探测器价格是⾮晶硅平板探测器的3-4倍，⼀开始只有少部分⼚家使⽤，最近越来越多的 ⼚采⽤ CMOS探测器，例如GE的晶智和晶锐、西门⼦的Spin和Cios A pha、奇⽬的多款C臂、还有联影的C形臂等等。 CMOS平板探测器和⾮晶硅平板探测器相⽐，具有低剂量DQE⾼ （⽂献1、⽂献4)、可以全分辨率下获得全帧率图像(⽂献3）、拖尾⼩ （⽂献2）。由西门 ⼦公司和霍普⾦斯医学院合作的研究 （⽂献6），对⽐了30cm的CMOS探测器和⾮晶硅探测器在透视成像和3D成像上的性能：CMOS探测器的噪声⽐⾮晶 硅探测器低2-3倍；单帧剂量低于50nGy时，CMOS的DQE更⾼。特别是在⾼分辨率时 （2.3 p/mm)，CMOS探测器的DQE⽐⾮晶硅探测器⾼50% ；⽽奇⽬ 公司2016年发表的⽩⽪书表明：⾮晶硅平板探测器在价格上有优势 （⽂献5）。 那么CMOS探测器和⾮晶硅探测器为什么有这么 的差异呢？ 1、、从从硅硅说说起起 家在⽣活中常见的建筑材料⽔泥、砖、和玻璃中的主要成分就是硅，硅也是 多数半导体芯⽚的主要原料。 纯净的硅有三种形态：单晶硅，多晶硅和⾮晶硅。多晶硅是制造单晶硅的原料。在半导体领域，单晶硅常⽤来做芯⽚，⾮晶硅⽤来做液晶电视。这⾥⾯的 单晶硅和⾮晶硅的电⽓特性差异⾮常 ，主要是由于晶体和⾮晶体的结构差异巨 带来的。 说到晶体和⾮晶体，我们⽇常⽣活中最常见的就是碳元素的晶体和⾮晶体。碳元素的晶体就是钻⽯，碳元素的⾮晶体就是煤炭，⼆者的内部结构和特性差 异巨 。 对于晶体硅和⾮晶硅，⼆者内部的结构和特性同样差异巨 。 晶体硅内部原⼦排列整齐，⽽⾮晶硅内部原⼦排列杂乱⽆序。⼆者的电⽓特性差异巨 ，常⽤电⼦迁移速率来表⽰。 2 2 电⼦迁移速率是单位电压 （V）下，单位时间 （s）的电⼦扩散⾯积。晶体硅是1400cm /VS, ⽽⾮晶硅的电⼦迁移速率是1cm /VS。 这个参数有什么价值呢？电⼦迁移速率快，在半导体⼯艺中，可以刻蚀很细的线来传输信号，或者组成晶体管，可以在每个感光⼆极管旁边刻蚀放 器， 将信号放 后再传输到外⾯；如果电⼦迁移速率慢，必须⽤较粗的线组成晶体管，感光⼆极管边上刻蚀不下放 器，因此只能把信号传输到外⾯再放 。 半导体⼯业中，CPU芯⽚都是⽤晶体硅为原料，CMOS⼯艺制作，现在的7纳⽶⼯艺已经成熟了，⽽⾮晶硅⼯艺⼀般⽤来制作液晶电视，线宽在微⽶级 别。从⼀⽚CPU和⼀个液晶电视可以⽐较出价钱差异：⼀⽚Inte i9 CPU售价 3000多⼈民币，⽽⼀台65⼨液晶电视才3000元。 ⼀个20cm尺⼨的CMOS平板探测器⾯积是⼀⽚i9 CPU的1000多倍，导致了CMOS平板探测器价格⾼昂。 2、、平平板板探探测测器器原原理理 ⽆论是CMOS平板探测器还是⾮晶硅平板探测器，在基本原理上都类似，见下图： 最重要的⼀个部件