原创力文档第 10 章 實體記憶體和定址;記憶體特性 ;RAM的實現技術;SRAM技術（類似正反器）;SRAM優缺點;DRAM技術;遺失電荷問題;更新電路;更新電路圖;真正的更新電路;記憶體技術之測量 ;密度 ;摩爾定律;讀寫分離 ;延遲 ;記憶體控制器;記憶體控制器圖;記憶體動作方式 ;第二個記憶體效能因素 ;記憶體週期時間 ;記憶體週期時間的重點;同步記憶體技術 ;多倍速記憶體技術 ;市售記憶體產品 ;記憶體組織 ;記憶體傳輸大小 ;實體位址;字組定址;實體位址圖;實體記憶體動作 ;字組大小 ;位元組定址 ;位元組與字組之間的轉換;位址轉換圖;數學轉換; 2的冪次位址 ;更有效率的轉換;2的冪次位址轉換圖;位元組對齊 ;程式設計師應該注意的重點; 記憶體大小和位址空間 ;字組定址的軟體規劃 ;記憶體大小的測量基底 ;程式設計師受到的影響;資料結構和指標 ;記憶體傾印 ;記憶體傾印範例;改善記憶體的效能表現;平行記憶庫;交錯記憶體;平行記憶庫和交錯記憶體之間的差異;四向交錯記憶體;CAM內容位址記憶體 ;CAM;CAM圖;CAM查閱;T-CAM三態內容定址記憶體;結論 ;結論（Cont.） ;此课件下载可自行编辑修改，供参考！
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