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多晶硅生产工艺和反响原理讲解课件 地点 ：________________ 时间 ：________________ 多晶硅生产工艺和反响原理 第一节 重要的半导体材料，化学元素符号Si, 电子工业上使用的硅应具有高纯度 和优良的 电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产 量和用量标志着一 个国家的电子工业水平。 在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始 用硅制作 雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低乂非单晶体。1930 年制出 第一只硅晶体管， 提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。1932 年用直拉法(CZ)培 育硅单晶成功。1933 年乂研 究出无坨竭区域熔化法(FZ),既可进行物理提纯乂 能拉制单晶。19 氏年开始采用锌复原四 氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶 体管的要求。1936 年研究成功氢复原三氯氢硅 法。对硅中微量杂质乂经过一段 时间的探索后，氢复原三氯氢硅法成为一种主要的方 法。到1960 年，用这种方 法进行工业生产已具规模。硅整流器与硅闸流管的问世促使硅 材料的生产一跃 而居半导体材料的首位。60 年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出 现，不 但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速开展。80 年代初全世 界多晶硅产量已达2500 吨。硅还是有前途的太阳电池材料之一。用多晶硅制造 太阳电池 的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池 开始进入市场。 化学成分硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中 应分别低于 0. 4ppb 和0. lppbo 拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获 得所要求的导电类型和 电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的 杂质，它们的存在会使P\结性能 变坏。硅中碳含量较高，低于lpp 者可认为 是低碳单晶。碳含量超过3pp 时其有害作 用已较显著。硅中氧含量其高。氧的 存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5〜40pp 范 围内；区熔硅单晶氧含量可 低于lppmo 硅的性质硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为 1.21 电子 伏。载流子迁 移率较高，电子迁移率为 1350 厘米2/伏•秒，空穴迁移率为480 厘米2/伏•秒。本征电阻 率在室温(300K)下高达2. 3X105 欧•厘米，掺杂后电阻 率可控制在104〜10-4 欧•厘米的 宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。 硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在儿十 微秒至1 毫秒之间。热导率较大。 化学性质稳定，乂易于形成稳定的热氧化膜。在平面 型硅器件制造中可以用氧 化膜实现PN 结外表钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半 导体结构，制造 M0S 场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN 结具有良好特性，使硅 器件具有 耐高压、反向漏电流小、效率高、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在 200 A 温下运行等优点。 硅单晶的主要技术参数硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀 度、非平衡 载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。 导电类型导电类型山掺入的施主或受主杂质决定。P 型单晶多掺硼，X 型单晶多掺 磷，外延片衬底用N 型单晶掺铢或神。 电阻率与均匀度拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂 质分布不 匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电 阻率均匀度和微区 电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。 非平衡载流子寿命光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消 失，它们平均 存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件 放大倍数、反向电流和 开关特性等均有关系。寿命值乂间接地反映硅单晶的纯 度，存在重金属杂质会使寿命值 大大降低。 晶向与晶向偏离度 常用的单晶晶向多为 111〕和 100〕〔见图〕。晶体 〔 〔 的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。 晶体缺陷生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外，不允许 有小角度晶界、 位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于20