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瞬态抑制二极管与其它过压保护技术的对比什么是瞬态抑制二极管？ 瞬态抑制二极管是用于保护敏感 型电子设备免受高电压瞬变损害的电子元件。与大多数其他类型的电路保护设备相比，它们可更快地应对过电压现象，可提供各 类表面贴装和通孔电路板安装型号。 该产品通过截面积大于常规二极管的 p-n 结将电压限制在一定范围（称为“钳位”装置），可以将较大电流导向地面，因此不会对元件造成持续损坏。 瞬态抑制二极管通常用于保护传输或数据线路以及电子电路， 使其免受雷击、感应负载开关和静电放电等引起的电气过压损害。 Littelfuse 瞬态抑制二极管适用于多种电路保护应用，但主要应用于保护电信、工业设备、计算机和消费电子产品中的输入 /输出接口。 Littelfuse 瞬态抑制二极管的特性包括: 增量浪涌电阻较低 可提供单向和双向极性 反向断态电压介于 5 至 512V 之间 符合RoHS 亚光锡无铅电镀标准 表面贴装型额定功率介于 400W 至 5,000W 之间 轴向引线型额定功率介于 400W 至 30,000W（30kW） 之间 提供 6kA 和 10kA 的高电流保护 如需进一步了解 其他瞬态抑制技术及对比结果， 请参阅 Littelfuse 应用说明书 AN9768。 与其他二极管技术的对比: 二极管类别 应用范围 二极管类别 应用范围 传统二极管，整流器 备注 适用于“控制”高电流；从直 电源控制流转换成交流。 常见于 齐纳二极管 电源控制 TO-220 等大型封装中。 适用于调节电源供应中的直流电压。 常见于中型及 二极管类别 应用范围 备 注 大型封装（轴向和TO-220）。 适合保护易接触雷击浪涌 硅雪崩二极 或因电气电路的机械开关管（SAD）， 导致的瞬态电压等高能现 过压保护 瞬态电压抑 象的电路（EFT）。 常见 制器（TVS） 于中型封装（轴向和 DO-214） 二极管阵列属于类别更广 泛的硅保护阵列（SPA）， 二极管阵列 过压保护旨在提供 ESD 保护。 常见 于小型表面贴装（SOIC-8、 SOT-23 和 SC-70 等） 肖特基二极管  电源控制 适用于开关模式电源的高频（HF）整流。 采用了结电容特性优势的 变容二极管 射频调谐 唯一已知的二极管应用。 工作特性的对比: 二极管类 反向击穿 电压 电容（C ） 备注 别 J （V ，V ） 传统二极管，整流器 齐纳二极 BR Z 800-1500V 很高  交流至直流转换 管 硅雪崩二 高达 100V 中到高 调节直流电源 雷击浪涌和瞬 极管 高达 600V 中 （SAD） 态电压保护 二极管阵 高达 50V 低（ 高频数据电路 列 装置结构的对比: 50pF） 的 ESD 保护 肖特基二极管是通过将金属焊至半导体结上而形成。 从电气角度而言，该二极管是通过多数载流子进行导电，在漏电流和正向偏压（VF）较低时能够快速响应。 肖特基二极管广泛应用于高频电路。 齐纳二极管由重掺P-N 半导体结制成。 有两种物理效应可称 之为齐纳态（齐纳效应和雪崩效应）。 当 P-N 结上施加了很低的反向电压时，在量子效应下，P-N 结将开始导电，这种现象称之为齐纳效应。 当 PN 结上施加的反向电压大于 5.5 伏时将发生雪崩效应。发生雪崩效应时，所产生的电子空穴对将碰撞格栅。 基于齐纳效应的齐纳二极管广泛用作电子电路中的基准电压源。 瞬态抑制二级管由特制的 P-N 半导体结组成，可提供浪涌保护。 PN 结通常覆膜，以防在非导电状态下过早出现电压弧闪。 出现瞬态电压时，瞬态抑制二级管开始导电，并通过雪崩效应钳制瞬态电压。 瞬态抑制二极管广泛用作电信、通用电子设备、数码消费电子产品的电路过压保护装置，可提供雷击、静电放电和其他瞬态电压保护。 SPA 表示硅保护阵列。 该阵列集成了PN 结、SCR 或采用多引脚结构封装的其他硅保护结构。 SPA 可用于需要多种保护的电信、通用电子设备、数码消费电子产品，提供对静电放电、雷击和 EFT 的综合保护。 例如，它可用于 HDMI、USB 和以太网端口的 ESD 保护。