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第 PAGE 页 电子技术根底(模拟篇) 第一章 半导体二极管 一、单项选择题 1. 当温度升高时，二极管正向特性与反向特性曲线分别〔 〕。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2. 在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3. 设二极管的端电压为U，那么二极管的电流方程为〔 〕 A. B. C. D. 4. 以下符号中表示发光二极管的为〔 〕。 5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. ID = 0 B. ID IZ且ID IZM C. IZ ID IZM D. IZ ID IZM 6. 杂质半导体中〔 〕的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于〔 〕时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于〔 〕。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后，空间电荷区由〔 〕构成。 A. 电子与空穴 B. 施主离子与受主离子 C. 施主离子与电子 D. 受主离子与空穴 10. 硅管正偏导通时，其管压降约为〔 〕。 A 0.1V 11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，一样，一样 B. 交流，一样，一样 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 12. 在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈，反向饱与电流IS≈，那么在35oC时，以下哪组数据可能正确：〔 〕。 A Uth≈，IS≈0.05pA B Uth≈，IS≈ C Uth≈，IS≈0.05pA D Uth≈，IS≈ 二、判断题 1. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 〔 〕 2. 二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。 〔 〕 3. 二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。 〔 〕 4. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。 〔 〕 5. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 〔 〕 6. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 〔 〕 7. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 〔 〕 三、填空题 1. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电流 ，二极管反向伏安特性曲线 移。 2. 半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的 特性来实现的。 3. 二极管P区接电位 端，N区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。 4. 在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体，掺入 价元素那么得P型半导体。 5. PN结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。 6. 光电二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 7. 发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 8. 二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型与面接触型， 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。 9. 二极管反向击穿分电击穿与热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 10. 半导体中有 与 两种载流子参及导电，其中 带正电，而 带负电。 11. 本征半导体掺入微量的五价元素，那么形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 12. PN结正偏是指P区电位 N区电位。 13. 温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱与电流 。 14. 普通二极管工作时通常要防止工作于