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【Word版本下载可任意编辑】 PAGE 1 - / NUMPAGES 1 ARM片外FIash存储器IAP解决方案 TRDmax=RDLenmax/CCLKmin=35/10×10一6=3.5 μs.TD=18 ms》3.5μs其中：TRDmax—读访问时间;RDLenmix——读访问可用长度;CCLKmin——核工作时钟频率;Tp——扇区擦除典型时间。  算式得出扇区擦除典型时间远大于读访问时间。这样一来，如果再给某Flash写数据，同时于其中预取指，那么因F1ash在执行命令期间，对其他操作不响应，预取出的必定是其数据引脚上的不确定数据，预取指失败。实践也说明，如果在程序执行过程中，对同一Flash开展扇区擦除，必定引起预取指中断。  为了解决在同一Flash芯片存放程序并IAP这一问题，引进代码重映射的思想。所谓重映射就是代码先自复制到指定存储区，然后跳转到指定区的起点开始执行。这里，lAP程序先自复制到LPC2210片内SRAM中，然后跳转到SRAM执行lAP代码。前面说过，ARM7为冯·诺依曼构造，这就为IAP程序重映射提供了可能。  编写可重映射代码的关键是要解决程序中相对偏移的问题，ARM7指令系列中涉及相对偏移的指令主要有LDR/STR以及跳转指令。这里的解决方案是：凡涉及偏移值的指令通通采用基址变址寻址方式，以