太阳电池生产中的工艺控制点.pptVIP

因此，在生产过程中，等离子体刻蚀的功率大小和刻蚀时间长短的选取是一种折衷考虑。较高能量的离子轰击对边缘区域造成的损伤会对边缘区域所收集到的载流子有一定程度的减少，因而会导致短路电流稍微降低。其最大后果是会使器件的理想因子“n”增加，因为在结区（耗尽区）造成的损伤会使得结区复合增加，从而表现在理想因子的增加。 * 第三十一页，共六十一页。 对于较低的等离子功率，需要较长的刻蚀时间。如果刻蚀不足，电池的并联电阻会下降，对这种情况需要增加功率或延长刻蚀时间。如果刻蚀时间长到足以对电池片的正反面造成损伤，由于这不可避免地会造成损伤延伸到正面结区，因而也会使理想因子“n”增加。如果刻蚀时间过长，会因损伤区域的高复合而使得开路电压和短路电流降低。 * 第三十二页，共六十一页。 等离子功率太低会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而造成某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。开路电压的分布测量是检验该问题的有效方法，如边缘刻蚀不足，则接近边缘区域时，开路电压会降低很大（甚至低到200mV）；而正常情况下，该下降应比较小。 * 第三十三页，共六十一页。 钝化减反膜的作用和要求　 表面平整的硅片在很宽的波长范围（400～1050nm）内对入射光的反射均高于30%。该反射可以通过表面绒面来降低。但是，一方面，金字塔绒面只能在特定取向（接近100晶向）的硅片上实现，减反的效果只能低到接近10%