模拟电子技术学习笔记(2020年整理).doc.docxVIP

学海无涯 学海无涯 本证半导体：纯净晶体结构的导体。 常用的有硅和锗。 在外电场的作用下，自由电子定向移动形成 电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键， 出现 电子的空位，称为 空穴。空穴也进行位置的相对移动，形成 空穴电流。 N型半导体：在本征半导体中加入 +5价的元素，（磷，锑，砷）。使导体内的每一个原子周 围除形成共价键之外，有一个游离的电子，N型半导体的多数载流子电子， 少数载流子空穴。 电子受力移动，留下施主杂质带正电 （不参与导电）。 所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。少数载流子有共价键提供， 其浓度取决于温度。整个半导体内先电中性。 PN结的导电性 扩散电容 正向电压 势垒电容 反向电压 电压超 过门限 值，PN 结击穿 击穿 不一定 PN结 的损坏 T 稳 压 极 管 P接电源高电压，N接电源低电压, 外加电场与自建场方向相反，阻挡 层变窄，促进多子扩散，PN结导通。 N接电源高电压，P接电源低电压 外加电场与自建场方向相同，阻挡 层变宽，促进少子漂移，PN结截止, 电流方向与正向偏置时相反，称为 反向电流。少子成小电流，反向电 流很小。 反向电压超过 0?几V时少子基本在 电场作用下，形成漂移电流，少子不 因为电压变大而增多， 反向电流基本 不变，即饱和电流。 雪奔击穿（碰撞击穿）少子能量过 大，与原子碰撞，从而形成电子一 —空穴对。如此连锁反应，反向电 流快速增加。 齐纳击穿（电场击穿）原子间的 价电子直接拉出，形成电子一一 空穴对，反向电流急剧增加。 工作在击穿条件下，反向电流变化大，电压却变化很小，即具有稳压性。 二极管的应用：限幅电路 门电路 集电触 T 鰹电结、 N -- 菇极b o~ P -r 笈射结/ N - 三极管的结构及类型 樂电区 发射区 ⑻PNP初 ⑻PNP 无论是PNP还是NPN型的三极管，都包含三个区：发射区 （c）、基区（b）和集电极区（e）。 集电结 发射结 正向 反向 正向 饱和状态 放大状态 反向 反向放大 截止状态 三极管的接法: r（a）共基极（b）共发射极（c）共集电极 r （a）共基极 （b）共发射极 （c）共集电极 le=lc+lb（共基极电流放大系数 a,共 发射极电流放大系数 ? 三极管的放大作 用：发射结（c）重掺杂。 三极管的放大作 用 :基区（e）很薄。 :集电极面积大。 1当Uce不变时，输入回路中的电流 lb与电压Ube之间的关 系曲线称为输入特性 三极管的特性曲线：2：当lb不变时，输出回路中的电流 lc与电压Uce之间的关系 三极管的特性曲线： 曲线称为输出特性 直流分析：即静态分析，基极电流 lb、集电极电流lc= Bib, Uce。 电容 开路 （先画出直流通路）＜ 电感 短路 信号源 短路 共设极的电路: Uce减小到极限 （截止）Uce Uce减小到极限 （截止）Uce增 2、 顶部失真，输入回路就出现开始失真。 （饱和） 3、 底部失真，输入端lb没失真，在输出出现失真。 静态工作点不合适大到极限近似等于 Vcc 静态工作点不合适 不失真， 整个周期，三极管处在放大区