25-第六章-等效电路-影响阈值电压的因素.pptVIP

第三十页，编辑于星期一：十九点 十五分。 第三十一页，编辑于星期一：十九点 十五分。 第三十二页，编辑于星期一：十九点 十五分。 第三十三页，编辑于星期一：十九点 十五分。 第三十四页，编辑于星期一：十九点 十五分。 第三十五页，编辑于星期一：十九点 十五分。 Physics of Semiconductor Devices MOS场效应晶体管 半导体器件物理 §6.6、6.8、6.9 第一页，编辑于星期一：十九点 十五分。 1、等效电路 2、频率响应 3、MOSFET的类型 4、影响阈值电压的其他因素 （1）掺杂浓度 （2）氧化层厚度 （3）衬底偏置 Outline 第二页，编辑于星期一：十九点 十五分。 MOSFET的小信号特性是指在一定工作点上，输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系。这是一种线性变化关系，可以用线性方程组描述小信号特性，其中不随信号电流和信号电压变化的常数即小信号参数。 一 等效电路小信号参数 定义： 第三页，编辑于星期一：十九点 十五分。 1. 线性导纳 在线性区的电阻称为开态电阻或导通电阻，可表示为： 第四页，编辑于星期一：十九点 十五分。 在UDS较小时， gdl与UDS无关。随着UDS的增大，但还未到饱和区， gdl将会减小。此时有： 不可忽略 第五页，编辑于星期一：十九点 十五分。