教学课件半导体光电子器件-3.pptVIP

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2022-07-11 发布于辽宁
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教学课件半导体光电子器件-3.ppt

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正版课件内容可修改;半导体光电子器件;第三章：太阳电池;第三章太阳电池; 短于295nm和大于2500nm波长的太阳辐射，因地球大气中臭氧、水气和其他大气分子的强烈吸收，不能到达地面。其中氧的吸收波长范围较宽，在200nm～700nm之间，其它气体的吸收具有选择性，呈带状分布。;§3.1太阳光谱与大气光学质量;§3.1太阳光谱与大气光学质量;§3.2 半导体太阳电池的基本结构;§3.2 半导体太阳电池的基本结构; 1. 扩散区、势垒区、中性区：吸收光子产生电子-空穴对；开路时： 2. 扩散区、势垒区：空穴漂移到p区，电子漂移到n区，形成光生电流与积累； 3. 积累的部分空穴和电子分别中和空间电荷区的正、负电荷，空间电荷区变窄-pn结正偏； 4. 光生电流与正向电流平衡时，达稳定状态； 5. 开路时，呈现开路电压; 短路时：输出短路电流。 ;§3.3 半导体太阳电池的基本参数;§3.3 半导体太阳电池的基本参数;Pom=V om×I om (最大输出功率) Pin:入射太阳光的功率;由图可见，效率与表述输出功率的面积有关定义: 填充因子（Fill Factor）：从IscVoc中取得的功率比率，即;砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好，且能耐高温。;V ?;;;*;;;第三章太阳电池;第三章太阳电池;第三章太阳电池;第三章太阳电池;第三章太阳电池;第三章太阳电池;第三章太阳电池;第三章太阳电池;第三章太阳电池;第三章太阳电池;第三章太阳电池