电子技术基础数字部分逻辑门电路1.pptxVIP

3.逻辑门电路3.1 逻辑门电路简介3.2 基本CMOS逻辑门电路3.3 CMOS逻辑门电路的不同输出结构及参数3.7 逻辑描述中的几个问题3.8 逻辑门电路使用中的几个实际问题--3.逻辑门电路教学基本要求：1. 了解半导体器件的开关特性2. 熟练掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、OD门（OC门）和传输门的逻辑功能。3. 学会门电路逻辑功能分析方法。4. 掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。--3.1 逻辑门电路简介3.1.1 各种逻辑门电路系列简介3.1.2 开关电路--逻辑门电路集成门电路3.1.1 各种逻辑门电路系列简介逻辑门:实现基本逻辑运算和常用逻辑运算的单元电路。逻辑门电路的分类二极管门电路分立门电路三极管门电路TTL门电路NMOS门PMOS门MOS门电路CMOS门BiCMOS门电路--3.1.1 各种逻辑门电路系列简介1. CMOS集成电路广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路 4000系列74LVC/74AUC74HC/74HCT74AHC/74AHCT低(超低)电压速度更加快负载能力强抗干扰功耗低速度两倍于74HC与TTL兼容负载能力强抗干扰功耗低速度加快与TTL兼容负载能力强抗干扰功耗低速度慢与TTL不兼容抗干扰功耗低54/74HC002. TTL集成电路广泛应用于中大规模集成电路 74系列74LS系列74AS系列 74ALS--3.1.2 开关电路逻辑变量取值0或1，对应电路中电子器件的“闭合”与“断开”。MOS管或BJT管可以作为开关。 (a) 输出逻辑1 (b) 输出逻辑0--3.2 基本CMOS逻辑门电路3.2.1 MOS管及其开关特性3.2.2 CMOS反相器3.2.3 其他基本CMOS逻辑门电路3.2.4 CMOS传输门--MOS耗尽型3.2.1 MOS管及其开关特性CMOS门电路是以MOS管为开关器件。MOS管的分类：N沟道增强型P沟道N沟道P沟道--源极漏极n-型半导体p-型半导体3.2.1 MOS管及其开关特性1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理MOS管的分类：栅极符号--3.2.1 MOS管及其开关特性1. N沟道增强型MOS管的结构（1）vGS对沟道的控制作用当vGS=0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。当vGS VTN 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。--3.2.1 MOS管及其开关特性1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理(2) VGS 和VDS共同作用 vGS VT, vDS0, 靠近漏极的电压减小。当VGS VT, iD 随VDS增加几乎成线性增加 。 当vDS ? ? vGD=(vGS?vDS)?VT, 漏极处出现夹断。 继续增加VDS ? ? 夹断区域变大， iD 饱和。3.2.1 MOS管及其开关特性2. N沟道增强型MOS管的输出特性和转移特性输出特性分为 截止区： 可变电阻区：沟道产生， iD 随vDS线性增加， rds为受vGS控制可变电阻。(a)输出特性曲线 饱和区：（b）转移特性曲线3.2.1 MOS管及其开关特性3. 其他类型的MOS管（1）P沟道增强型MOS管 结构与NMOS管相反。 vGS、vDS 电压极性与NMOS管相反。 开启电压vT为负值（2）N沟道耗尽型MOS管 绝缘层掺入正离子，使衬底表面形成N沟道。 vGS电压可以是正值、零或负值。 vGS达到某一负值vP，沟道被夹断， iD =0。--3.2.1 MOS管及其开关特性3. 其他类型的MOS管（2）N沟道耗尽型MOS管 N沟道耗尽型MOS管符号如图。（3）P沟道耗尽型MOS管结构与N沟道耗尽型MOS管相反。符号如图所示。--3.2.1 MOS管及其开关特性4. MOS管的开关电路当υI VT: MOS管截止， 输出高电平当υI VT：MOS管工作在可变电阻区，输出低电平PMOS管工作过程正好相反--3.2.1 MOS管及其开关特性当υI 为低电平时：MOS管截止，相当于开关“断开”，输出为高电平。当υI为高电平时：MOS管工作在可变电阻区，相当于开关“闭合”，输出为低电平。MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。--3.2.1 MOS管及其开关特性5. MOS管开关电路的动态特性由于MOS管栅极、漏极与衬底间电容，栅极与漏极之间的电容存在，电路在状态转换之间有电容充、放电过程。输出波形上升沿、下降沿变得缓慢。--+VDD+5VTPS2D2vivO逻辑真值表逻辑表达式D1vi (A)vO(L)S1TN+5V1001AL0V3.2.2 CMOS反相器1.工作原理VTN = 2 VVTP = - 2 VvGSNvGSPTNTPvivO?5V 0V5V截止导通0 V0 V5