第三章测验(上)答案.docxVIP

xje : 发射结结 xje : 发射结结深 xjc ：集电结结深 WB0 : 基区宽度 W : 有效基区宽度 B 一．填空 1、按杂质分布的不同，双极型晶体管可分为(均匀基区晶体管)和(缓变基区晶体管)两类。 2、双极型晶体管放大三要素是(基区宽度远小于基区少子扩散长度)、(发射区杂质浓度远大于基区杂质 浓度)和(发射结正偏, 集电结反偏)。 3、共基极电流增益的物理含义是(表示发射极电流中有多大比例可以达到集电极)，共射极电流增益的物 理含义是(表示发射极电流中传输到集电极的部分与传输过程中损失掉的部分的比值)。 4、发射效率 反映了(IE中有多大比例可以注入到基区)，基区输运系数 β0* 反映了 (注入到基区的 电流在基区输运过程中，有多大比例可以达到集电结)。 5、提高双极型晶体管电流增益的措施有(减小基区宽度)、(增大发射区杂质浓度)、(提高少子寿命)、(提 高基区杂质分布梯度)和(改善表面状况)等。 6、随着 NB 的减小，晶体管的( β0 )、( γ0 )等参数会增大。 二．简答题 1、以NPN管为例说明为什么双极型晶体管具有电流放大能力？ 答题要点： (1) 发射结为 N+P 结, 流过其空间电荷区的电子电流与空穴电流比值大于 1，且只与器件结 构有关。 (2) 紧靠发射结的集电结在反偏状态下将发射结电子电流与空穴电流分开。 2、什么是基区杂