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2月29日 集成电路设计 第一次作业 课本25页第2、3、4、5、6、7、8题 1、GaAs和InP材料各有哪些特点？ 砷化镓（GaAs）半导体材料与传统的硅材料相比： = 1 \* GB3 ①具有很高的饱和电子速率及高的电子移动率（约为硅材料的4倍） = 2 \* GB3 ②它是直接能隙的材料，所以可以用来发光。 = 3 \* GB3 ③GaAs具有宽禁带结构。 磷化铟（InP）具有： = 1 \* GB3 ①电子极限漂移速度高。 = 2 \* GB3 ②耐辐射性能好。 = 3 \* GB3 ③导热好。与砷化镓半导体材料相比，它具有击穿电场、热导率、电子平均速度均高的特点。 2、在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？在怎样的条件下经属于半导体形成肖特基接触？ 欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： = 1 \* GB3 ①金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) = 2 \* GB3 ②半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。 3、说出多晶硅在CMOS工艺中的作用 在CMOS及双极器件中，多晶硅用制作栅极、形成源极与漏极（或双极器件的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄PN结的扩散源、高值电阻等 4、列出你知道的异质半导体材料系统 = 1 \* GB3 ①GaAs和AlGaAs； = 2 \* GB3 ②InP和InGaAs； = 3 \* GB3 ③Si和SiGe； 5、SOI材料是怎样形成的，有什么特点？ SOI又称绝缘层上硅，一种新型结构的硅材料，通过在体硅中加入一层绝缘层，而具有一些特殊的性质。 = 1 \* GB2 ⑴SIMOX工艺流程：、 在注入过程中，氧离子被注入圆片里，与硅发生反应形成二氧化硅沉淀物。然而注入对圆片造成相当大的损坏，而二氧化硅沉淀物的均匀性也不好。随后进行的高温退火能帮助修复圆片损坏层并使二氧化硅沉淀物的均匀性保持一致。这时圆片的质量得以 恢复而二氧化硅沉淀物所形成的埋层具有良好的绝缘性。 = 2 \* GB2 ⑵晶片粘接工艺流程： 第一步是在室温的环境下使一热氧化圆片在另一非氧化圆片上键合；第二步是经过退火增强两个圆片的键合力度；第三步通过研磨、抛光及腐蚀来消薄其中一个圆片到所要求的厚度。 SOI的技术优势： 速度高；功耗低；集成密度高；成本低；抗辐照特性好。 6、肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？ = 1 \* GB2 ⑴肖特基接触： = 1 \* GB3 ①单向导电性； = 2 \* GB3 ②肖特基势垒二极管的正向电流主要是半导体多数载流子进入金属形成的，是多子器件，无积累，因此高频特性更好； = 3 \* GB3 ③有较低的正向导通电压。 = 2 \* GB2 ⑵欧姆型接触：欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度产生明显的改变。 7、简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。 = 1 \* GB2 ⑴双极型晶体管工作原理：由于晶体管有两个PN结，所以它有四种不同的运用状态： = 1 \* GB3 ①发射结正偏，集电结反偏时，为放大工作状态； = 2 \* GB3 ②发射结正偏，集电结也正偏时，为饱和工作状态； = 3 \* GB3 ③发射结反偏，集电结也反偏时，为截止工作状态； = 4 \* GB3 ④发射结反偏，集电结正偏时，为反向工作状态。 = 2 \* GB2 ⑵MOS晶体管的工作原理：如果没有任何外加偏置电压，这时，从漏到源是两个背对背的二极管。它们之间所能流过的电流就是二极管的反向漏电流。在栅电极下没有导电沟道形成。如果把源漏和衬底接地，在栅上加一足够高的正电压，从静电学的观点看，这一正的栅电压将要排斥栅下的P型衬底中的可动的空穴电荷而吸引电子。电子在表面聚集到一定浓度时，栅下的P型层将变成N型层，即呈现反型。N反型层与源漏两端的N型扩散层连通，就形成以电子为载流子的导电沟道。 3月14日 第二次作业 P37:5 5、说出半导体工艺中掺杂的作用，举例两种掺杂方法，并比较其优缺点。 答：掺杂的作用是以形成特定导电能力的材料区域,包括N型或P型半导体层和绝缘层。杂质掺杂的实际应用主要是改变半导体的电特性。热扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要方式。 离子注入法的优点： = 1 \* GB3 ①精确控制杂质含量 = 2 \* GB3 ②很好的杂质均匀