限制MOSFET开关速度的因素.docxVIP

限制 MOSFET 开关速度的因素心中有冰 我们知道 MOSFET 的开关速度相对于三极管已经有相当大的改善，可以达到数百K，甚至上M；但我们想想，当我们需要MOSFET有更高的开关速度，更小的损耗时，限制 MOSFET 的开关速度有哪些因素在作怪呢？ 1、MOSFET 的 G 极驱动电阻引起的延时 2、PCB Layout 引起的寄生电感影响驱动电流 3、MOSFET 封装本身引起的 ESR 与 ESL 4、MOSFET 的米勒效应 但是 MOSFET 开关频率越高，EMC 越难处理。 频率一高，LAYOUT 就要注意。D 也要加磁珠了。 驱动电阻可以反并二极管 增大驱动电阻，EMC 会表现稍好一点。这个是经过验证了的。 驱动电流不是问题，现在就3842 那么老的都有 1A。专业芯片就更不用说了。 自己做驱动电路用变压器其实很简单的。也很便宜。老板也会很高兴。 MOSFET 本身的结电容啥的那是没得改了，出厂的时候就定下来了。只有认命了，要不就换大厂牌的，但是价格又上去了。这里面需要权衡。谁都想用 RDS 小的COOLMOS 啊。有时候却要考虑成本。其实用 COOLMOS 可以适当减小发热，散热器减小，效率提高，也可以省一点成本的。 米勒电容，没办法啊。 LAYOUT 的时候尽量走短一点。如果是铝基板散热就很 好兼顾这点。如果是用散热片，从变压器,PWM IC 到主 MOSFET 还是有一段距离的，频率一两百 K 看不出来，但是频率几百 K 的时候就郁闷了。 高压功率器件速度越来越快，最早的 SCR/BJT 速度是大约4~20 微秒开关速度；后来 BJT/IGBT 提高到 150 纳秒左右，现在实际可以达到 8 纳秒水平。在不久将来；会达到 1 纳秒左右。 驱动要求也越来越高；仅以驱动线长为例，早期的驱动线没啥特别要求；只要双绞就基本够用了。后来的高速 IGBT/FET 的栅线；除双绞外；长度被限制在 10CM 以内。从现在的测试看；要求未来的高速器件的驱动线被限制在 1CM 以内。 就这驱动线长的问题；估计大多数工程师只是经验所谈； 没多少人能从理论上说清楚而自觉的设定工程参数。 理论的缺乏和经验口口相传的不确定性；直接拖了应用后退。找各种理由去解释？就上面提出的假设；多是出自于此。 （电源网原创文章转载请注明出处）