引言
集成电路是电子产业和信息社会的支柱和硬件基础。金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是构成当前集成电路的最基本器件结构,当前的绝大多数集成电路都以互补式金属-氧化物-半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)器件作为基础单元。MOSFET器件进入量产以来,尺寸微缩一直是集成电路性能提升的最重要手段[1,2,3]。
通过表1可以看出,当MOSFET器件的尺寸按照等电场微缩(即器件沟道内的电场维持恒定值)的方式缩小至1/k时
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