单晶培养的方法.doc

- . z 几种培养单晶的方法和大家共享 单晶培养的方法一、挥发法原理：依靠溶液的不断挥发，使溶液由不饱和到达饱和过饱和状态。条件：固体能溶解于较易挥发的有机溶剂一般丙酮、甲醇、乙醇、乙腈、乙酸乙酯、三氯甲烷、苯、甲苯、四氢呋喃、水等。理论上，所有溶剂都可以，但一般选择沸点在60～120℃。注意：不同溶剂可能培养出的单晶构造不同 二、扩散法原理：利用二种完全互溶的沸点相差较大的有机溶剂。固体易溶于高沸点的溶剂，难溶或不溶于低沸点溶剂。在密封容器中，使低沸点溶剂挥发进入高沸点溶剂中，降低固体的溶解度，从而析出晶核，生长成单晶。一般选难挥发的溶剂，如DMF,DMSO,甘油甚至离子液体等。条件：固体在难挥发的溶剂中溶解度较大或者很大，在易挥发溶剂中不溶或难溶。 三、温差法原理：利用固体在*一有机溶剂中的溶解度，随温度的变化，有很大的变化，使其在高温下到达饱和或接近饱和，然后缓慢冷却，析出晶核，生长成单晶。一般，水，DMF, DMSO,尤其是离子液体适用此方法。条件：溶解度随温度变化比拟大。经历：高温中溶解度越大越好，完全溶解。推广：建议大家考虑使用离子液体做溶剂，尤其是对多核或者难溶性的配合物。四、接触法原理：如果配合物极易由二种或二种以上的物种合成，选择性高且所形成的配合物很难找到溶剂溶解，则可使原料缓慢接触，在接触处形成晶核，再长大形成单晶。一般无机合成，快反响使用此方法。 方法：1.用U形管，可采用琼脂降低离子扩散速度。2.用直管，可做成两头粗中间细。3.用缓慢滴加法或稀释溶液法〔对反响不很快 的体系可采用〕4.缓慢升温度〔对温度有要求的体系适用〕经历：原料的浓度尽可能的降低，可以人为的设定浓度或比例。0.1g～0.5g的溶质量即可。五、 高压釜法原理：利用水热或溶剂热，在高温高压下，是体系经过一个析出晶核，生长成单晶的过程，因高温高压条件下，可发生许多不可预料的反响。方法：将原料按组合比例放入高压釜中，选择好溶剂，利用溶剂的沸点选择体系的温度，高压釜密封好后放入烘箱中，调好温度，反响1～4小时均可。然后，关闭烘箱，冷至室温，翻开反响釜，观察情况按如下过程处理：1.没有反响——重新组合比例，调节条件，包括换溶剂，调pH值，参加新组分等。 2. 反响但全是粉末，且粉末什么都不溶解，首先从粉末中挑选单晶或晶体，假设不成，A：改变条件，换配体或参加新的盐，如季铵盐，羧酸盐等；B:破坏性实验，设法使其反响变成新物质。 3.局部固体，局部在溶液中:首先通过颜色或条件变化推断两局部的大致组分，是否一样组成，固体挑单晶，溶液挥发培养单晶，假设组成不同固体按1或2的方法处理。4.全部为溶液——旋蒸得到固体，将固体提纯,将主要组成纯化，再根据特点接上述四种单晶培养方法培养单晶。 总结： 单晶培养的方法多种多样，如升华法、共结晶法等。最简单的最实用常用的有：1.溶剂缓慢挥发法； 2.液相扩散法 3.气相扩散法。99％的单晶是用以上三种方法培养出来的。 一、单晶培养要点? 1、一般以10--25mg为佳，如果你只有2mg左右样品，也没关系，但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法，不能使用溶剂缓慢挥发法。 2、单晶培养的样品的预处理样品溶解后一定要过滤，不能用滤纸，而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部或下部，不要塞太紧，否则流的太慢。样品当然是越纯越好，不过如果实在没方法弄纯也没关系，培养一次就相当于提纯了一次，也可用一些TLC显示有杂点的东西长单晶，但要多养几次。 3、一定要做好记录，一次就得到单晶的可能性比拟小。因此最好的方法就是在第一次培养单晶的时候，采取少量多溶剂体系的方法。如果你有50mg样品，建议你以5mg为一单位，这样你可以同时实验10种溶剂体系，而不是选两种溶剂体系，每个体系25mg。这时做好记录就特别重要，以免下次又采用已经失败的溶剂体系，而且单晶解析时必须知道所用的溶剂。 4、培养单晶时，最好放到没人碰的地方，这点大家都知道。我想说的是你不能一天去看几次也不能放在那里五六天不管。也许有的溶剂体系一天就析出了晶体，结果五天后，溶剂全干了。一般一天看一次适宜，看的时候不要动它。明显不行的体系〔如析出絮状固体〕就要重新用别的溶剂体系再重新培养。 5、液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2－1:4，可以尝试的溶剂系统：CH2Cl2/乙醚或戊烷；THF/乙醚或戊烷；甲苯/乙醚或戊烷；水/甲醇；CHCl3/正庚烷 6、化合物构造中烷基链超过4个碳的很难培养单晶。 7、分子中最好不要有叔丁基，因为容易无序，影响单晶解析的质量。8、含氯的取代基一般容易长单晶，如4--氯苯基取代化合物比