共发射极放大电路各元件作用PPT课件.ppt

2.1.1　共发射极放大电路各元件作用;+VCC;基本共发射极 电路的波形：;二、放大电路的非线性失真;2. “Q”过高引起饱和失真;饱和失真的本质：;2.1.2 用小信号模型法(微变等效)分析动态;二、用小信号模型分析共射放大电路;2.2.1　温度对静态工作点的影响;温度?，输入特性曲线 ?;+VCC;二、 静态工作点的估算;三、 动态分析;2.3.1　共集电极放大电路;2.3.1 共集电极放大电路 (射极输出器、射极跟随器) ;二、动态分析;+ –;2.3.2 共基极放大电路;二、动态分析;2.4.1 绝缘栅场效应管;引 言;2.4.1 绝缘栅场效应管;2. 工作原理;2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th));3. 转移特性曲线;二、 N 沟道耗尽型 MOSFET;三、P 沟道 MOSFET简介;2.4.2 结型场效应管;2. 工作原理;N 沟道增强型;2.4.3 场效应管的主要参数、特点及注意事项;4. 低频跨导 gm ;二、场效应管的主要特点及使用注意事项;使用注意事项： MOS管衬底与源极通常接在一起。若需分开，衬源间电压须反偏（NMOS uGS 0， PMOS uGS 0 ）。 MOS管输入电阻极高，使栅极感应电荷产生高压造成管子击穿。为避免栅极悬空及减少感应，储存时应将三个极短路；焊接时，用镊子短路三个极，并将电烙铁断电后焊接；不能用万用表检测，只能接入测试仪后再去掉短路线测试，取下前也应先短路。 JFET可在栅源极开路情况下储存 和用万用表检测。;2.4.4 其它类型场效应管*;二、VMOS 场效应管;2.4.5 FET的偏置电路及静态分析;二、分压式自偏压电路;2.4.6 FET放大电路的小信号模型分析法;二、用小信号模型分析 FET 共源极放大电路;例 已知 gm = 0.7 mS，求电压放大倍数、输入和输出电阻。;耦合方式：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；光电耦合。;设: ?1=?2=50, rbe1 = 2.9k? , rbe2 = 1.7 k? ;关键:考虑级间影响。;考虑级间影响;微变等效电路:;1. ri = R1 //[ rbe1 +（? +1)RL1];3. 中频电压放大倍数:;RE1;多级阻容耦合放大器的特点：;例1：放大电路由下面两个放大电路组成。已知EC=15V ，R1=100k?， R2=33k? ，RE1=2.5k?，RC=5k?，?1=60，； RB=570k?，RE2=5.6k?，? 2 =100，RS=20k? ，RL=5k?;求直接采用放大电路一的放大倍数Au和Aus。 若信号经放大电路一放大后，再经射极输出??输出，求放大倍数Au、ri和ro 。 若信号经射极输出器后，再经放大后放大电路一输出，求放大倍数Au和Aus 。;ri = R1// R2// rbe =1.52 k?;2. 若信号经放大电路一放大后，再经射极输出器输出，求放大倍数Au 、ri和ro 。 ;讨论：带负载能力。;3. 若信号经射极输出器后，再经放大后放大电路一输出，求放大倍数Aus 。;输入不接射极输出器时：;;;第二步：计算各级电压放大倍数;第三步：计算输入电阻、输出电阻;第四步：计算总电压放大倍数;阻容耦合电路的频率特性：