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刻蚀设备产业园项目经营分析报告范文模板.docx

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    泓域咨询/刻蚀设备产业园项目经营分析报告 刻蚀设备产业园项目 经营分析报告 xx有限责任公司 报告说明 随着当前先进芯片关键尺寸的不断减小以及FinFET与3DD等三维结构的出现，不同尺寸的结构在刻蚀中的速率差异将影响刻蚀速率，对于高深宽比的图形窗口来说，化学刻蚀剂难以进入，反应生成物难以排出。另外，薄膜堆栈一般由多层材料组成，不同材料的刻蚀速率不同，很多刻蚀工艺都要求具有极高的选择比。第三个问题在于当达到期望深度之后，等离子体中的高能离子可能会导致硅片表面粗糙或底层材料损伤。 根据谨慎财务估算，项目总投资20210.38万元，其中：建设投资16288.14万元，占项目总投资的80

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