g-C3N4基异质结光催化剂的研究进展.docx

石墨相氮化碳（g-C3N4）半导体光催化材料具有良好的化学稳定性、适宜的电子能带结构等特点,在光催化降解环境污染物和光催化制氢等领域显示了潜在的应用价值[1,2,3,4,5,6,7]。目前,g-C3N4合成方法主要包括溶剂热法、固相合成法、模板法和热聚合法等[8,9]。可采用对g-C3N4的表面、结构性质和能带结构进行修饰的方法,提高g-C3N4的光催化性能。g-C3N4的改性方法有形貌调控、元素掺杂、异质结构建等。形貌调控包括制备一维、二维（2D）、三维结构[10,11,12]。主要原理是通过增大催化剂比表面积,缩短电荷传输路径,提高光生载流子的迁移率等来提高光催化性能。但该改性方法受很多因