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报告说明
耦合等离子体刻蚀机包括电容耦合(CCP)与电感耦合(ICP),相比ECR结构简单且成本低。电容耦合等离子体刻蚀机(CCP)通过电容产生等离子体,而电感耦合等离子体刻蚀机(ICP)通过螺旋线圈产生等离子体。硅片基底为加装有低功率射频偏置发生器的电源电极,用来控制轰击硅片表面离子的能量,从而使得整个装置能够分离控制离子的能量与浓度。电容性等离子体刻蚀(CCP)主要是以高能离子在较硬的介质材料上,刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微观结构;而电感性等离子体刻蚀(ICP)主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓
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