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纵向pnp管( 衬底pnp管 Substrate pnp transistor) 它以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。 纵向pnp管（衬底pnp晶体管） 模拟集成电路 三极管 三极管 三极管的基本工作原理 三极管集成实现的各种结构及特点 三极管模型（大信号，小信号） 模拟集成电路中常见的三极管 npn管 横向pnp管 纵向pnp管 超增益npn管（ β≥1000 ） 三极管的基本工作原理 NPN管 P-sub P+ P+ N+ N+ Pwell N+BL N+ P N P E B C S B E C S NPN管 寄生PNP管 问题: 如何减小寄生管的影响? 如何表征该器件? 如何减小寄生管的影响? NPN管 N+ P N P B E C S 寄生PNP管 Vbe Vbc 饱和区 反向工作区 截止区 正向工作区 E B C S 结论: 当NPN工作于饱和区或方向工作区时, 寄生PNP处于正向工作状态. 严重影响电路工作. 一般地, 模拟集成电路中, NPN要求工作于截止区和正向工作区. 此时, 寄生PNP的影响基本可以避免. 如何表征该器件? N+ P N P B E C S NPN管 寄生PNP管 采用四层三结的EM模型: αF, αR为NPN管正/反向共基电流增益 αSF, αSR为寄生PNP正/反向共基电流增益 如何减小寄生管的影响?(续) NPN管工作于正向工作区和截止区 寄生管可以忽略 NPN管工作于反向工作区时 这里: NPN管工作于饱和区 改进方案 掺金工艺 降低寿命. 埋层结构 基区宽度增加, 引入减速场,减小渡越时间. 采用肖特基二极管对BC结钳位. 改进方案 有用电流与衬底电流之比: 增大: 减小: 无源寄生效应 P-sub P+ P+ N+ N+ Pwell N+BL E B C S P-sub P+ N+ N+ Pwell N+BL E B C S 设计要点: P-sub P+ N+ N+ Pwell N+BL E B C S Pwell的浓度和深度 外延的浓度和厚度 加埋层 做穿透 横向距离 发射结面积/发射结周长 大电流下发射结采用条形/梳状结构 肖特基钳位晶体管 超增益npn管（ β≥1000 ） 集成电路中的pnp型管 横向pnp管 Lateral pnp transistor ?小 高 频率响应差 临界电流小 ?横向pnp晶体管的主要特点(提要)： BVEBO高，主要是由于xjc深，?epi高之故。 ? 电流放大系数?小，主要原因： ? 由于工艺限制，基区宽度不可能太小； ? 纵向寄生pnp管将分掉部分的发射区注入电流，只有侧壁注入的载流子才对横向pnp管的? 有贡献。 ? 基区均匀掺杂，无内建加速电场，主要是扩散运动。 ? 发射极注入效率较低 ? 表面迁移率低于体内迁移率。 ? 基区的表面复合作用。 横向pnp直流放大倍数 寄生效应 E C B 设计考虑: 在图形上减小发射区面积与周长之比.(与NPN设计相反). 减小表面电流引起的基极电流增加. 采用集电极包围发射极的结构 增大结深 采用埋层工艺 小电流应用 频率响应差: 1. 平均有效基区宽度大，基区渡越时间长。 2. 空穴的扩散系数仅为电子的1/3。 3. 埋层的抑制作用,使得折回集电极的少子路径增加. 改进方案: 1. 增加结深 2. 减小LE, 发射区做最小尺寸. 3. 降低WBL, 4. 降低外延浓度, 提高发射区浓度. (与PNP要求有矛盾) 发生大注入时的临界电流小 横向pnp的基区宽度大，外延层Nepi低，空穴扩散系数低。 解决方案: 采用多管并联 设计要求: 在图形上减小发射区面积与周长之比.(与NPN设计相反). 减小表面电流引起的基极电流增加. 采用集电极包围发射极的结构; 增大结深; 提高发射极浓度; 采用埋层工艺; 小电流应用; 减小基区宽度. 采用并联结构. 其他的横向pnp管: 多集电极横向pnp管: 其他的横向pnp管: 达林顿复合pnp管: