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- 2022-08-04 发布于广东
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2.1.1 共发射极放大电路各元件作用;+VCC;基本共发射极
电路的波形:;二、放大电路的非线性失真;2. “Q”过高引起饱和失真;饱和失真的本质:;2.1.2 用小信号模型法(微变等效)分析动态;二、用小信号模型分析共射放大电路;2.2.1 温度对静态工作点的影响;温度?,输入特性曲线 ?;+VCC;二、 静态工作点的估算;三、 动态分析;2.3.1 共集电极放大电路;2.3.1 共集电极放大电路
(射极输出器、射极跟随器)
;二、动态分析;+
–;2.3.2 共基极放大电路;二、动态分析;2.4.1 绝缘栅场效应管;引 言;2.4.1 绝缘栅场效应管;2. 工作原理;2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th));3. 转移特性曲线;二、 N 沟道耗尽型 MOSFET;三、P 沟道 MOSFET简介;2.4.2 结型场效应管;2. 工作原理;N 沟道增强型;2.4.3 场效应管的主要参数、特点及注意事项;4. 低频跨导 gm ;二、场效应管的主要特点及使用注意事项;使用注意事项:
MOS管衬底与源极通常接在一起。若需分开,衬源间电压须反偏(NMOS uGS 0, PMOS uGS 0 )。
MOS管输入电阻极高,使栅极感应电荷产生高压造成管子击穿。为避免栅极悬空及减少感应,储存时应将三个极短路;焊接时,用镊子短路三个极,并将电烙铁断电后焊接;不能用万
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