半绝缘型碳化硅单晶衬底电阻率非接触测试方法.pdfVIP

SJ/TXXXXX—XXXX 附 录 A （规范性） 半绝缘型碳化硅单晶衬底电阻率非接触测试方法 A.1 概述 本附录规定了半绝缘型碳化硅单晶衬底电阻率非接触测试方法。 A.2 测试原理 非接触电阻率测试方法源自电容充放电的原理，其主要部件探头的基本结构如图A.1 所示。其中处 于探头中心的是电荷放大器电极，电荷放大器可以通过它实时监测电量变化。非接触式电阻率测试法在 测试电阻率时，会绘制出其电量变化的驰豫曲线图（如图A.2 所示），并根据驰豫时间计算出电阻率。 图A.1 探头结构示意图 图A.2 驰豫曲线图 7