《微电子器件》课程教学后记.docVIP

第1章 半导体器件基本方程 授课时数：3学时 六、教学后记 对于半导体器件基本方程及其各种简化形式的物理意义，应该向学生清楚透彻地反复讲解，这对于使学生加深对半导体器件基本方程的理解与记忆是很有好处的。 第2章 PN结 授课时数：18学时 2-1 PN结的平衡状态 授课时数：3学时 六、教学后记 要向学生说明，这种令电流密度方程为零解出内建电场的方法是分析微电子器件时的常用方法之一，后面还会多次用到。同时也要将其与用泊松方程解内建电场的方法相区别。 2-2 PN结的直流电流电压方程 授课时数：4学时 六、教学后记 PN结的直流电流电压方程不仅是本节的重点，也是本章的重点，务必使学生掌握其物理概念和计算方法。学生经常在课后提到的一个问题是，既然正向下电流应该很大，为什么又会存在正向导通电压呢？这是因为饱和电流IS的值太小，虽然正向电流随正向电压按指数方式增加，但当基数太小时，在不大的正向电压下正向电流的值始终很小，只有当正向电压达到一定数值时，正向电流才会变得明显起来。 2-3准费米能级与大注入效应 授课时数：2学时 六、教学后记 准费米能级的概念在分析半导体器件时是一个很有用的工具，但对于准费米能级在PN结中的变化情形可以不在课堂上推导。 从已经批阅的作业情况来看，学生在计算过程中出错的比例相当高，单位用错的情况也不少见。 2-4 PN结的击穿 授课时数：3学时 六、教学后记 电