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Power MOSFET Application NotesPower MOSFET應用注意事項 ----摘自Fairchild Application Note 7500 Rev.A Application Note 9010 Rev.D精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#引言(Introduction) Power MOSFET(功率型金屬氧化物半導體場效應晶體管)的工作原理，規格及性能均有異於雙極性的晶體管。事實上，Power MOSFET在性能上總體來講要優於雙極性的晶體管。極快的開關速度;隻需簡單的驅動電路;免除或大大降低了二次擊穿的危險；可以並聯起來使用;在很寬的溫度范圍內都能保持穩定的增益及響應時間.精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） 傳統的n-p-n型bipolar transistor是一種current-driven的元件，它的3個管腳（base,emittercollector)通過合金金屬線的接觸直接與silicon dice相連。精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） Bipolar transistor被視作是一種少數載流子的器件，在這種器件裡面，注入的少數載流子被多數載流子中和掉。這種中和作用的一個缺陷就是它會限制器件本身的工作速度。而且由於它用電流驅動base-emitter作為input,所以bipolar transistor對於其驅動電路來講會呈現一個較低的阻抗。在絕大多數的電源電路中，這種低阻抗的的input端需要較為復雜的驅動電路精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） 相對而言，Power MOSFET是一種voltage-driven的器件，它的gate極(如圖Figure 1(a)),跟其silicon body本身由一層薄的的SiO2隔離而保持電氣上的絕緣。作為一種多數載流子的半導體器件，MOSFET較之於bipolar transistor來講具有快得多的工作速度，因為在工作過程中不存在charge-storage的現象。MOSFET是一種電壓控制型的器件，它有一個具電氣隔離的gate極，採用多數載流子的方式由source極流到drain極。精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） 當一個正電壓加在一個n型MOSFET的gate極上的時候，會在gate極下面的通道區域內形成一個電場；那就是說，這種gate極上的electric charge的作用會導致p區位於gate極下面的那一部分會轉換成n型區（如圖figure1(b)所示）MOSFET工作時的關鍵是當電壓加在gate極的時候，在gate極下面的區域會形成一個inversion的通道精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） 這種轉換的現象，稱為surface-inversion現象，這樣，電流就可以通過這個n型區從drain極流到source極。實際上，在這種狀態下，MOSFET不再是一個n-p-n型的器件。處在drain極和source極的這個區域可被視為是一個電阻，盡管它不象傳統電阻那樣表現出線性的狀態。正是由於這種surface-inversion的現象，MOSFET的工作原理才徹底地與bipolar transistor不一樣，bipolar transistor在任何時候都保持其n-p-n的特性。“電阻”MOSFET工作時的關鍵是當電壓加在gate極的時候，在gate極下面的區域會形成一個inversion的通道精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） ?…摻雜了幾價原子No isolation layer 無絕緣層MOSFET發展的前身：JFET精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） JFET?耗盡型MOSFET精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） 增強型MOSFET精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） 電容效應*如何形成一個通道*精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#特性總介（General Characteristics） 正是由於有這樣一個electrically-isolated的gate極的緣故，MOSFET被稱之為具有高輸入端阻抗，voltage-controlled型的器件；反觀bipolar transistor則是低輸