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前节主要内容偏置状态下的pn结能带结构XDXDECEFnq(VD＋U) qUEFpEFpEVqU ＋－EFn正向偏置－＋反向偏置理想pn结的电流电压方程式 正偏压的少子注入效应p 侧边界 xp 处的电子密度在正偏压下是零偏压下平衡密度np0 的 exp(qU/kT)倍，即XDEFnqUEFpxp同理，n侧边界xn处的空穴密度是零偏压下平衡密度pn0 的 exp(qU/kT)倍，即xn＋－正向偏置§4.3 pn结电容正偏压对pn结的充电效应反偏压对pn结势垒区电荷密度的改变势垒电容 在pn结施加偏压时，势垒区宽度及其中的空间电荷数量随外加电压的变化而变化。因为空间电荷是由不能移动的杂质离子组成的，空间电荷的变化实际上是由电子和空穴的充入和放出来实现的。这和一个电容器的充放电作用相似。pn结的这种电容效应称为势垒电容，以CT表示。势垒电容效应在正、反偏置状态都很明显。 扩散电容 正向偏压时，有空穴从p区注入n区，于是在n区边界附近的一个扩散长度内，便形成了额外空穴的积累，同样在p区边界处也有额外电子的积累。当正向偏压的大小发生变化时，扩散区内积累的额外空穴和电子也相应地变化。这种由扩散区电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为pn结的扩散电容。用符号CD表示。扩散电容效应只在正偏置状态明显存在。 pn结电容的特点pn结的势垒电容和扩散电容都随外加电压的变化而变化，表明它们是可变